电子转移器件
transferred electron device
基于Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的电子转移效应制成的实用性电子器件。1961～1962年，英国 B.K. 里德利等提出电子转移理论，1963 年 J.B.耿在研究半导体 GaAs 的特性时，观察到电流 - 电压特性的不规则振荡现象，其频率高达几千兆赫。经精密实验证实这现象就是上述的电子转移效应，因此电子转移器件又称为耿氏器件。不少化合物半导体中存在着多“ 能谷”能带结构 ，当外加电场增加到一定值时 ，电子能足够快地从低有效质量的主能谷转移到高有效质量的子能谷，且电子的速度随外加电场的增加而下降，即产生负微分电导，这就是电子转移效应。电子转移效应及其负微分电导可以产生微波振荡和放大，还可用以产生和处理高速脉冲信号，从而制成各种微波电子转移器件和高速逻辑电路。电子转移器件主要应用在微波遥感、通信卫星地面站和雷达等设备中。
