姓名: 潘瑞芹
性别: 男
出生年月: 19350101
民族: 汉
毕业院校:北京大学
学科: 电子、通信与自动控制技术
最终学历: 本科
技术职称: 教授
工作单位: 北京大学微电子学研究所, 所长
单位所属机构: 高等院校
是否院士: 待定 国籍: 中国
个人简介:
1958年从北京大学物理系半导体专业毕业。此后一直在北京大学从事微电子学的教学和科学研究工作，特别是关于集成电路新工艺、新器件和新结构电路的研究。曾先后完成14项国家重大科学技术项目，获11次国家和部委级奖励，发表著作五部，论文100余篇，专利5项。现任北京大学微电子学研究所所长等多项职务。
工作简历：
1985-,北京大学微电子学研究所,教授
1958-1980,北京大学物理系,助教; 讲师
1980-1982,北京大学计算机科学技术系,副教授
1982-1983,加州大学伯克莱分校,访问学者
学术或专业团体任职：
1987-,世界无线电联盟半导体(D)委员会中国委员会,主席
1985-,中国电子学会,常务理事;会士
1987-,美国电气与电子工程师协会,高级会员
专业领域:
微电子学
研究成就：
1970-1976,MOS集成电路硅栅N沟道技术,主持
1980-1992,多晶硅氧化动力学和电学性质研究,主持
1980-1995,新器件、新工艺和新结构集成电路,主持
1980-,SOI/CMOS电路研究,主持
获奖:
1991,多晶硅薄膜氧化动力学的研究,电化学学会杂志,
1995,决定多晶硅发射极晶体管中载流与输运机制的解析模型,IEEE 电子器件,
1991,大规模集成电路中多晶硅薄膜氧化动力学和电学性质研究,国家教育委员会,科学技术进步奖, 一等
1990,VLSI/ULSI MOS结构氧化层陷阱电荷弛豫方法与测试技术,国家科学技术委员会,发明奖
198801,多晶硅薄膜及其在集成电路中的应用,科学出版社,
1978,硅栅N沟道1024位MOS动态随机存储器,全国科学大会,全国科学大会