严荣良男，汉族，江苏无锡人，1935年12月生，中共党员，大学文化程度，中科院新疆物理所研究员，1993年享受政府特殊津贴。1957年来新疆，1959年进入中科院新疆分院，从事核技术和辐射物理学研究。早期研究核子计测技术，在各种液位、密度和元素测控分析仪器方面，取得了多项成果。70年代末，为发展我国航天、微电子与国防高技术，率先在国内开展半导体辐射物理研究，针对卫星、航大器抗电离辐射加固技术，做了开创性工作。主持了中科院、国防科技、国家基金和国际合作等项目，深入系统地指示出MOS半导体电离辐照损伤机理和器件失效模式，提出了氧化电荷与界面态微观参数辐射响应与工艺结构变量的依赖关系，辐射陷阱电荷的增长退火规律及及抑制方法等，奠定了理论基础，使第一代铝栅和第二代硅栅CMOS电路总剂量加固技术获得重大突破，达到了国际先进水平，其推广应用成效显著。发表学术论文90余篇。对开辟形成边缘学科固体辐射物理，促进抗辐射电子学发展，建立专业实验室和培养科研人才等，作出了应有的贡献。先后获得了国家科技进步三等奖，中科院科技进步一、二、三等奖和航天部科技进步一等奖等。基金奖二等奖和自治区优秀科技工作者一等奖的获得者。并获自治区先进工作者、中科院先进工作者和国家四委国防军工协作配套先进工作者等称号。