日本富士通的川崎实验室透露,他们研发除了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体),能提供更低的功耗.
包含钛镍氧化物结构的ReRAM,在刷写时只需要100mA的电流甚至更少,相比传统ReRAM,研究人员还降低了90%的波动电阻值,这一技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命.
新的技术可以更快地完成存取,5毫秒内存取10000次.
这种ReRAM未来可以替代目前的FlashRAM,并且成本较低,表现也非常突出.
日本富士通的川崎实验室透露,他们研发除了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体),能提供更低的功耗.
包含钛镍氧化物结构的ReRAM,在刷写时只需要100mA的电流甚至更少,相比传统ReRAM,研究人员还降低了90%的波动电阻值,这一技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命.
新的技术可以更快地完成存取,5毫秒内存取10000次.
这种ReRAM未来可以替代目前的FlashRAM,并且成本较低,表现也非常突出.