Flash ROM驱动示例

王朝other·作者佚名  2006-03-12
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Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:

i28F320B: 64*64K,64个blocks,4M空间,每个block 64K,第一个64K由8个8*8K小blocks组成.

每个Black可以被独立擦写(寿命周期) 100,000次以上

Flash操作的大概步骤:

flash读写操作中,读应该很简单,和RAM一样,写就复杂一点.

Intel TE28F320C3的flash是4M空间

flash空间,划分成许多的block,Intel TE28F320C3的flash是4M空间,64个block,每个block由64K.

要对所有的block单独进行操作, 每个操作结束,都需要判断状态,

每个block操作的大概步骤如下:

1.unlock

2.erase

3.check empty

所有的block完成上述操作,且状态正确,才能进行下一步,写

4.write

ARM汇编程序

LDR r2, =FlashBase ;Flash起始地址

//第一步,UNLOCK的64个block,步骤和上边一样

MOV r1,#63 ;63x64k block 计数

01 LDRB r3, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIG_SETUP

STRB r3, [r2] ;该block的首地址

LDRB r3, =X16_FLASH_COMMAND_UNLOCK_BLOCK

STRB r3, [r2] ;将Unlock命令写入

ADD r2, r2, #0x10000 ;64K

SUBS r1, r1, #1

BNE %b01

;Unlock OK ;Unlock 完成

//第二布,擦除blocks

LDR r0, =FlashBase

LDR r1,=63 ;擦除 63x64k block

01 LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_ERASE

LDR r2, =X16_FLASH_COMMAND_CONFIRM

ORR r3, r3, r2, LSL #16

STR r3, [r0]

LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS ;检查寄存器状态

STRB r3, [r0]

02 LDRB r3, [r0] ;读状态

TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY

BEQ %b02 ;若状态ready,执行下一个

TST r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR

BNE error_erase_block

ADD r0, r0, #0x10000

SUBS r1, r1, #1

BNE %b01

B EraseOK

error_erase_block

..............

;EraseOK ;擦除完成

//第三步,检查flash是否为空

;Check Flash Empty

LDR r4, =FlashBase

LDR r5, =0x100000 ;检查 1MB

LDR r0, =0xffffffff

loop_1

LDR r1, [r4]

CMP r1, r0 ;比较地址内容和0xffffffff

BNE empty_error

ADD r4, r4, #4

CMP r4, r5

BLO loop_1

B CheckOK

empty_error

.................

CheckOK

.................

;Check empty OK ;检查完成

//第四步,写flash

;Burn data to Flash ROM

LDR r6, =Length_Flash ;定义数据长度

LDR r0, =FlashBase

LDR r1, =BufferBase

MOV r9, #0

LDR r4,=0x10000000

LDR r7,=0xc0001000

STR r4, [r7]

LDR r1, [r1, r9]

03 LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE

STRB r3, [r0] ;把写命令放入Block首地址

LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS

LDR r2, [r7]

LDR r5, =0x0000ffff

AND r2, r2, r5

ORR r2, r2, r3, LSL #16

STR r2, [r0]

02 LDR r3, [r0] ;读状态寄存器状态

TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY

BEQ %b02 ;若状态ready,执行下一个

LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_WRITE

LDR r2, [r7]

LDR r5, =0xffff0000 ;

AND r2, r2, r5

ORR r3, r3, r2

STR r3, [r0]

LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_STATUS

STRB r3, [r0]

02 LDR r3, [r0] ; read status

TST r3, #X16_FLASH_STATUS_READY

BEQ %b02

LDR r4, =X16_FLASH_COMMAND_READ

STRB r4, [r0]

ADD r0, r0, #4

LDR r8, [r7]

ADD r8, r8,#1

STR r8, [r7]

ADD r8, r8, #4

writenext

SUBS r6, r6, #4 ;if no finished goto 03

BHI %b03

TST r3, #X16_FLASH_STATUS_ERROR

BNE error_write

LDR r3, =X16_FLASH_COMMAND_READ

STRB r3, [r0]

B BurnOK

error_write

..........

BurnOK

 
 
 
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