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IBM和NEC日前宣布，双方已签署一项关于共同开发下一代半导体制程技术的多年期协议。根据该协议，NEC电子将参与开发32纳米制程节点的下一代核心CMOS制程，以及参与关于未来领先半导体技术的高阶基础研究。
加入IBM芯片研发计划的其它厂商还有新加坡特许半导体(Chartered)、飞思卡尔半导体(Freescale)、英飞凌(Infineon)、三星(Samsung)、意法半导体(ST)和东芝(Toshiba)。
NEC目前正与东芝联合开发45纳米和32纳米CMOS芯片生产制程技术。现在，NEC把与IBM及其联盟伙伴之间的合作扩展到了32纳米和更细节点。IBM表示，除了开发一种通用制程平台，NEC电子还计划与IBM及其它联盟伙伴合作，以加强系统芯片(SoC)的开发和设计能力。
NEC执行长CEO Nakajima表示：「与IBM达成的新协议意味着NEC将携手产业领导者开发一种通用半导体制造制程，因而允许我们致力于第一个推出eDRAM以及SoC解决方案，为我们的客户提供附加价值，如高可靠性与低功耗。」
相关工作将在IBM位于美国纽约州East Fishkill的300mm晶圆厂，和纽约州立大学阿尔巴尼分校的纳米科学和工程学院进行。
