9月30日消息，台积电昨日宣布将28纳米制程定位为全世代 （Full Node）制程，并首次提供处理器所需的高介电层／金属闸高效能制程（High Performance，28HP），目前已在中央处理器、绘图处理器及可程式逻辑闸阵列（FPGAs）有多个客户使用产品设计，后年上半年可开始生产。
此举不但确立台积电在先进制程的龙头地位，业界认为，台积电藉此抢攻超微（AMD）、恩威迪亚（nVIDIA）处理器订单，企图不在话下。
台积电昨天将28纳米定位全世代制程，相较於特许仍界定28纳米是32纳米的半制程（half node），台积电不单只是提供微缩、节省成本的需要，还能给客户全系列可用的IP与材料，包括高介电层／金属闸（High-k Metal Gate，HKMG）及氮氧化矽（Silicon Oxynitride，SiON）材料两种选择，可以让客户选用最佳化的电晶体材料，以达到速度、耗电与成本考量的目标，这两种材料的制程，最快于后年第一季开始生产。
台积电32纳米明年可开始量产，28纳米后年生产。台积电指出，以氮氧化矽为基础的28纳米低耗电高效能制程-28LPT (Low Power/High Performance)制程，与40纳米低耗电制程(40LP)相较，其闸密度预计可增为两倍，速度可增加最多达50%或功耗减少30%至50%，主要应用于行动基频、应用处理器、无线网路与可携式消费性电子产品等。
台积电先进技术事业资深副总经理刘德音表示，过去几年，消费者的需求是低漏电且电池寿命长久的可携式电子产品，而今消费者对无线通讯设备的需求，除了传统的通话和简讯发送功能之外，更希望其具备上网、视讯串流（Video Streaming）、音乐、行动电视、卫星导航等功能。
