东芝、IBM与AMD 12月17日共同发表新研发的立体型SRAM Cell，面积仅0.128平方微米，经测试可正常运作后，确定成为该类SRAM中全球最小的产品。
由于以hight-k金属闸（high-k/metal gate, HKMG）材料所开发的非平面型SRAM Cell体积非常小，所以承载SRAM Cell的系统LSI就能挪出多余的空间，芯片本身的面积也可再向下缩减，借着高导电率设计、FinFET立体结构晶体管以及绝缘膜设计，才研发出面积比现有最小的0.274平方微米缩小50%以上的立体SRAM Cell。IBM表示，SRAM cells是微处理器等IC上的零件之一，因此未来将有助于生产更小、更快，及更省电的处理器。
东芝表示，以往的平面晶体管可透过在硅频部份注入不纯物质达成小型化的需求，不过因为注入不纯物质相对的就无法保证可正常稳定运作，因此成为22奈米以下制程的一大问题，但这次三社所研发的FinFET立体结构晶体管能改善28%以上晶体管稳定度，因此未来确实有可能透过此技术制作出更先进的系统LSI。
这项技术已经先行于美国时间12/16在加州举办的半导体国际学会IEDM中发表，三社认为此次技术研发十分成功，并说明当晶体管尺寸缩小后，就代表在目前现有的系统LSI中可容纳数量更多的晶体管，运作性能与运算效率亦可一并提升。