Rambus公司发布新的主内存创新技术

王朝数码·作者佚名  2009-05-27
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近日,Rambus公司发布了一组创新技术,能使计算机主内存的数据率超出现有DDR3内存的极限,达到3200Mbps。借助于这一组创新,设计师可以实现更高的内存数据率、更有效的处理能力、更优的功率效率,并能用更大的存储容量来满足今后计算应用的需求。

Rambus公司研究员Craig Hampel说,“多核计算、虚拟化和芯片集成方面的产品发展对内存子系统提出了越来越多的要求,这成为当前高性能计算系统的一个主要性能瓶颈。Rambus公司推出这一组突破性的创新技术,能使内存系统更适合于这类以处理能力为导向的多核处理器的带宽和工作负荷,从而扩大未来主内存的设计和解决方案空间,为新一代计算平台提供支持。”

Rambus公司的几项关键创新技术将推动主内存路线图的发展,具体包括:

FlexPhase技术——是XDR内存架构中推出的技术,能够超出DDR3中使用的“直接选通脉冲技术”的水平,实现更高的数据率;

Near Ground Signaling技术——可在显著降低的IO功率条件下实现高性能,支持0.5V的工作电压,同时还可保持稳健的信号完整性;

FlexClocking架构——是Rambus移动内存计划(Mobile Memory Initiative)中推出的架构;采用这种架构,DRAM上不再需要DLL或PLL,从而降低了时钟控制功率;

模块线程化技术(Module Threading)——可提高内存效率,降低DRAM核心功率;与Near Ground Signaling以及FlexClocking技术结合使用时,能使内存系统总功耗减少40%以上;

动态点对点技术(Dynamic Point-to-Point)——利用稳健的点对点信令,提供一种无损于性能的容量升级方法。

 
 
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