传闻已久的Intel第二代固态硬盘如今已悄然而至，第二代Intel X25-M固态硬盘现已全面上市！
第二代Intel固态硬盘
第二代Intel固态硬盘的细节资料如下：
·第二代产品一共有80GB跟160GB两个型号，命名则继续沿用X25-M跟X18-M不变。其中X25-M已经全面上市，而X18-M则还要等到本季度末才能铺货。
·第二代产品采用制程为34nm的闪存（第一代产品采用的闪存为50nm制程），新制程让Intel在芯片大小不变的前提下提升闪存容量近一倍。
·SLC企业版暂时没有升级到34nm闪存的计划。
·闪存芯片体积缩小将降低产品售价，其中80GB版本售价为225美元，而160GB版本的售价为400美元。
·数据读写延迟得到改善（详细情况请看下文） 。
·感受到程序的速度得到提升。
·新控制器采用无卤素材料制造，因此理论上Apple终于可以将Intel的固态硬盘产品收入配置列表之中，而不用当心被环保标准卡关。
·目前还不支持TRIM固态硬盘优化指令，不过在Win7上市后开启TRIM之后，34nm的第二代Intel SSD将可以通过固件升级开启对TRIM的支持。而XP跟Vista的用户将可以通过软件的形式来利用这部分的性能提升。遗憾的是，就目前的情况来看，老一代的50nm产品将无法支持TRIM，在这一点Intel显得很不厚道。
总的来看，34nm新品的推出可以看作是X25-M的一次小进化，并没有本质的飞跃或新设计，其中最大的升级是价格得到降低。显然Intel决心普及X25-M，让这款性能一流的固态硬盘不再是高端用户才能享用的奢侈品，让主流大众也能享受到固态硬盘带来的极速快感。其中80GB版225美元的定价已经比市场上大部分基于Indilinx的产品都要便宜了：
其他厂商预计在近期将迅速对旗下的产品进行大幅调价，一些厂商可能还会选择其他牌子的闪存芯片以保证产品价格有足够的竞争力（类似于之前OCZ对Agility系列采取的对策）。详细规格
下表统计了第一代跟第二代X25-M在技术规格上的异同，其他主要差异用粗体字显示：
34nm制造工艺不仅降低了Intel的制造成本而且还提升了SSD的容量。采用新制造工艺之后，160GB的产品造价跟老制程的80GB产品相当，而80GB型号的造价也只需过去的一半。从制造成本来看，第二代X25-M的售价还有进一步降低的空间，但从市场竞争的角度来看，新产品的推出已经足够让对手疲于应付，目前Intel根本没有降价的需要。
更快的性能
新一代的产品在性能上有得到进一步的提升，其中读取跟写入延迟都有30%的改善。不过30%的提升成绩来自于对顺序读写的操作，属于最佳状态下的最高提升。除此以外，Intel还改进了控制器跟固件，以进一步提升性能。这方面的改进让新产品在4KB数据随机写入方面有了明显的提速。
当然实际应用中系统的性能能够得到多大的提升很难凭空估算，但至少我们可以肯定那些对系统I/O能力比较敏感的程序将可以从新X25-M中得到不少好处。不过除了这些程序外，对于个人平台的其他大部分日常应用程序来说，新旧两个版本的X25-M性能差别不会很明显，因为大文件连续读写的速度并没有得到改善，虽然控制器的算法得到改进，但毕竟在架构上没有动大手术，尽是些小修小补。其他技术规格上的差异
下表列对比了X25-M新旧两个型号另外两处差异，其中一项是升级，另一项则是降级：
新X25-M在满载功耗上保持跟旧版本一致，但待机功耗却提高了10mW，额外的功耗主要是新控制器带来的。需要注意的是，上面这些数据都是在MobileMark 2007测到的结果，并不代表实际使用的真实情况。Intel声称新X25-M并不比旧版本耗电，这一点还有待我们在后文做检验。另外34nm的新X25-M在抗击能力方面比老型号提高了50%，达到1500G，这个提升幅度是比较大的，但目前小编尚不清楚抗击力的提升是否得益于新制造工艺。
无卤素材料，Apple开绿灯
由于老版本的X25-M所采用的控制器制造材料中含有破坏环境的卤素，所以一些严格遵循环保规定的公司只能对其敬而远之，Apple就因为这个原因而不得不拒绝在其产品中采用Intel的SSD产品。
新一代的X25-M已经采用无卤素环保材料制造，这为Apple将X25-M加入到其产品中扫清了障碍。
如何在命名上区分新款跟旧款X25-M？
虽然新款X25-M价格更加低廉且性能更强，但Intel在新产品上依然沿用X25-M/X18-M的命名。那么消费者在购买的事情该如何区分新款跟老款呢？不用担心，Intel为X25-M/X18-M添加了一个后缀号码——G 1/2，G1代表第一代产品，G2代表第二代，具体请看下表：
TRIM指令优化只由34nm型号独享
Intel宣布将在WIN7发布之后开启X25-M对TRIM指令的支持，到时候将通过更新固件的方式来开启，不过仅限于34nm的第二代X25-M。到时候还在使用Vista甚至XP的用户也不用气馁，可以通过软件的方式来模拟，到时候Intel将会发布一个TRIM增强工具，可以在Vista跟XP上模拟TRIM指令。至于为何要等到WIN7发布之后在通过更新固件的方式来开启对TRIM的支持，小编估计Intel是希望在经过全面测试后，保证正常稳定之后再开启该特性。
至于第一代的老产品无缘TRIM势必要招致许多老用户的不满，小编认为老型号的产品不支持TRIM并非技术上的问题，而是市场营销上的手段。在短暂的等待之后，联邦快递的快递员终于为我们送来一个包裹，静静躺在包裹里面的真是下面这个小玩意：
第二代Intel固态硬盘
包裹里的玩意不是其他，正是本文的主角——X25-M G2。上文我们已经介绍了许多技术层面上的东西，下面就该轮到实物展示了：
第二代X25-M采用银色的外壳，据Intel的说法，银色外壳比老版本采用的黑色外壳造价更低：
X25-M G2 (上) vs X25-M G1 (下)
新产品到了我们评测室，自然逃不了被开膛破肚剖析的命运。在打开固态硬盘外壳之后，Intel对其动过哪些手术就一目了然了：
老型号X25-M G1 VS 新型号 X25-M G2
上面新旧两款X25-M都是160GB的型号，Intel在第二代X25-M采用16GB的闪存颗粒，而第一代用的是8GB的颗粒，这样PCB上能够容纳的闪存容量将加倍。所以在34nm制程成熟之后，在充足的产能条件下Intel将可以填满PCB背面空焊位，320GB的大容量SSD产品将指日可待，不过320GB的产品还不会太快上市。
PCB上磁盘控制器所在的那一面，新旧两个型号的差别并不大，较为显眼的区别是老版X25-M PCB上的芯片焊脚上面覆盖有一层黑色物体，而新版X25-M则没有。
老版 X25-M G1
老版X25-M 芯片焊脚上覆盖着的黑色物体似乎有利于散热，类似的物体在微软的XBOX 360上也曾经出现过，其主要作用是防止三红问题。
新版X25-M G2
新版控制器采用跟旧版一样的封装：
旧版控制器
新版控制器
两个版本的控制器编码不一样，老版本为Intel PC29AS21AA0，而新版本则为Intel PC29AS21BA0
英特尔也更换了X25-M板载DRAM的生产商，以前的160GB驱动器使用的三星166MHZ 16MB CAS3 SDRAM颗粒。:
Intel还更换了DRAM颗粒，老版160GB X25-M采用的是三星16MB 166MHz的SDRAM（CAS3）：
三星拜拜
新版160GB X25M-X G2采用的DRAM颗粒为Micron 133MHz SDRAM（CSA3）：
Micron上阵
DRAM容量上升而频率却降低了，不知道Intel的葫芦里到底在卖什么药～～竞争对手阵容
基本上Intel并没有将自己的控制器授权给其他SSD产品的开发商（唯一的例外是金士顿）。所以市场上大部分SSD产品都只能选择Indilinx或Samsung的控制器
产品价格
下面表格列出各家产品目前的价格对照：
注意上面表格中X25-M G2的价格为每千个的定价，Intel暂时还没有给出零售价格。预计零售价格将高于千个售价，但最终将下调至千个售价以下，类似于第一代产品的情况。性能测试
对于第二代X25-M的性能表现，小编最为重视的是其在SSD“四项全能”中的表现，所谓SSD四项全能，即随机读取、随机写入、连续读取以及连续写入四项指标，是评价一款固态硬盘性能的关键指标。这四项读写的速率高低将直接反映出一款SSD的性能高低，高性能的SSD必须在这四个项目的测试中取得优异成绩，其中个别项目可以高于其他项目。随机读写速率，特别是读取小文件的速率通常是传统硬盘的软肋，而这些小文件操作在我们日常的应用中很常见，从文件更新到搜索访问到程序加载等等都属于小文件随机读写范畴。这些文件虽然不是说七零八散地分布在磁盘上，但其不连续性足以让传统硬盘不堪重负。
连续性读写速率通常是反映大文件拷贝速度的指标，比如拷贝蓝光镜像的速度快慢就取决于连续性读写速率的高低。在测试中我们分别对四款参测SSD进行了IOMeter测试，此外还有满载工作环境下的读写速率测试。
基本上所有参测SSD的连续读取性能都能达到标称的最高速率，从测试数据来看，测试平台的SATA速度瓶颈限制了固态硬盘的速度发挥（大约为300MB/S）。在6Gbps SATA协议到来之前我们很难再提升磁盘的连续读取速率，受限于木桶效应，新一代的X25-M对连续文件的读写性能只能跟上代产品持平。
连续写入性能向来是Intel SSD的软肋，从测试结果可以看到新X25-M在这方面比老一代产品提高了7%，但这个成绩依然大幅落后于其他同级MLC产品。不过提升连续文件的读取速率对Intel来说并非难题，因为更高级别的SLC X25-E已经拿到了这个测试项目的桂冠。虽然在小编看来70MB/S的写速度并不算差，但Intel确实需要好好改进下这方面的表现，因为竞争对手的产品在这方面表现相当强劲。此外虽说随机文件的读写性能才是最为重要的指标，但Intel不因该在连续读写方面继续落后下去，需要好好努力才能对得其SSD性能王的称号。
在随机文件读取领域Intel才真正显露出实力，特别是对付分散的小文件，在这个项目里竞争对手的产品可谓望尘莫及。从测试数据来看，第二代的X25-M在这方面又有所进步，随机读取速度比上代产品提升了10%，这个提升甚至让第二代的X25-M超越了上代产品中的最高级别型号——X25-E。
第二代X25-M在这个项目中的强劲性能让其他竞争对手望尘莫及，表现最好的MLC产品也跟新X25-M有50%的性能差距。值得一提的是西数VelociRaptor的表现相当难看，其数据图表几乎低至难以看清的地步——0.68MB/S！
该图显示的数据跟上一个图表其实来自于同一个测试项目，只不过这里显示的是平均延迟而非传输速率。
跟上一个测试项目一样，随机写入性能同样是X25-M的强势项目，而第二代X25-M的表现也依旧强劲，超过上代最高型号X25-E达40%。而其他竞争对手根本无法望其项背。
三星的RBB控制器似乎很怕遇到最糟糕状态下的随机写入操作，所以在该项测试中其表现甚至不如西数VelociRaptor，早前的SSD测试也得出同样结论，这也解释了为何采用三星技术的SSD产品的Apple笔记本磁盘性能表现不佳的问题。
测试结论
从我们此次的测试结果来看，第二代X25-M的确兑现了Intel的承诺，在我们的测试中X25-M G2超越上代产品的幅度为0～40%不等，小编预计在实际工作环境中，用户能够看到大约10%的性能提升。
