2008年，广晟微电子率先推出了可供商用的TD-SCDMA HSDPA射频芯片，为保障北京奥运会对3G通信的需求，实现中国人在第二十九届奥运会上提供3G通信服务的庄严承诺做出了重要贡献。
为确保TD技术的先进性，广晟微电子投入力量研发了满足TD-HSPA+要求的射频收发芯片。该芯片是采用先进的0.13um RFCMOS工艺开发的射频芯片，提供了天线到基带的完备方案，支持TD-SCDMA双频段，并且集成齐全的模拟基带功能，直接提供数字IQ接口。由于内部采用高性能的射频前端，高效优化的接收架构，使得接收通道具备低至2.5dB的噪声系数的同时，仍然保持充裕的非线性抑制空间。接收EVM（误差矢量幅度）优于4％使得HSPA+等3.9G应用能顺利开展。片内集成14bit高动态范围的ADC，再加上多种时隙模式的自动反馈控制，能够在全程范围内保持输出数字IQ信号的幅度，而无需基带芯片的参与，保证了时分系统AGC的快速和精准，误差可精确到1dB。发射通道集成10bit双路DAC、低通滤波和功放驱动，在输出功率0dBm以上时，具备-40dBc的ACLR（邻道功率泄漏比），发射EVM优于3％。创新的设计保证80dB的动态范围。发射输出集成Balun，节省外部元件，并且极低的远端输出噪声使得发射SAW滤波器可被省去。包含VCO/PLL在内，该芯片接收、发射电流消耗能分别控制在50mA、100mA之内，待机模式耗电在uA数量级。
广晟微电子一直注重自有技术创新，凭借完备的软硬件开发设施以及实力雄厚的射频芯片开发团队，在开发该款芯片时运用了国际先进的集成电路设计技术，从前端电路设计、系统仿真到后端版图的全部工作均为自主开发，是一款具备100%自主知识产权射频产品。
