文章分类: 外围设备
SanDisk 今日也发布了一个芯片，从而让它顺利加入了 128Gb 闪存芯片俱乐部。和 Micron / Intel 的组合有点不同，这次 SanDisk 是和 Toshiba 合作，采用了新的 19nm 工艺而不是 20 nm 工艺。当然大小减小是一个进步，同时 SanDisk 还说其采用了新的每个元件 X3 / 3-bit 技术，而大多数的闪存还停留在每个元件 2-bit 阶段。这就意味着，其元件数更小，硅片更少，体积缩小，从而整体价格就会下来。分析师 Jim Handy 经过对比发现，新的采用 X3 技术的闪存芯片在每个 Gb 的单位价格要比 Micron / Intel 的要低，大概是 28 美分对比 35 美分。这对我们最终消费者是有好处的，希望在不久的将来可以买到更便宜更大容量的闪存产品。
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