日本产业综合研究所的科学家发现，在偶然进入发射原子的真空容器里的材料上可制成理想的单结晶膜结构绝缘层，其中含有铁成份。经与半导体厂家佳能ANERUBA公司合作，粒子的性能提高了5倍，并可用现有设备制作，从而为实现下一代MRAM的大容量化开辟了道路。
研究人员是在长15米的空气密度仅为空气10万亿分之一的超高真空密闭容器中，进行以铁为材料的单晶膜试验的。该项试验的成功，将使下一代MRAM存储器实现无限制高速读写式的存储记忆，成为当前的DRAM的换代产品。
据悉，目前的主要课题是夹在磁性材料之间的心脏部分——绝缘层的制作，以往的努力均未解决绝缘层与磁性材料之间的单结晶叠层课题。日立制作所和东北大学的研究人员经过摸索，发现可通过提高铁的混合比获得最好特性，从而为铁作为半导体材料打开大门。研究还发现，只要将铁的纯度提高至99.9999%便可使铁硅合金在不排出氟等有害物质的情况下制作半导体。东北大学的安彦兼次教授认为目前人们对铁的特性认识还很不足，其实99.9999%的纯铁既不生锈也不会溶于酸。除此之外，安彦教授正与三菱重工、东京电力等企业进行火力发电厂的汽轮机耐腐蚀研究，纯铁不生锈的谜揭开之后，该项技术10年后有望投入实用。