四月上旬256 Mb DDR400合约价与三月下旬持平，符合"持平至为幅下滑之预估"，目前模组价格为17.5~19.25美元，均价18.45美元，颗粒价格为 1.94~2.16美元，均价为2.06美元，512Mb DDR2合约价则为幅下滑0.9％，模组价格为43.5~48美元，均价45.6美元，颗粒价格为5.06~5.63美元，均价5.33美元。此外， DRAM现货价自三月底亦开始反弹，其中DDR400及ETT反弹幅度分别约2.5％及18.9％，DDR2反弹幅度则约1~1.5％。
此波反弹仅将持续一~二周，且反弹幅度将相当有限，主要理由包括：
（1）记忆体厂商因甫结束1Q06季底作帐，目前库存水位皆不高，且因面临与PC OEM厂协商四月上旬合约价，使记忆体厂商降低市场供货，并造成中国大陆及香港出现缺货，惟此缺货主要因人为因素所造成（市场传力晶将暂停供应ETT）；
（2）国内DRAM厂之DDR2产能将在2Q06明显增加，且90nm制程占产出比重亦将提高，根据后段测试厂资料推估力晶及华亚科之90nm制程良率已提升至70~80％及80~85，故DDR2短缺仅属短暂现象；
（3）2Q06之PC需求仍偏疲弱，任何来自PC OEM需求应仅为维持正常库存水位，除需求量不高外并多属短期需求。
维持DRAM价格在2Q06将缓步走跌看法不变，并维持建议为观望。
