上周 DRAM现货市场需求并不强劲，但是由于供给不足造成 DDR价格于淡季期间维持上涨。此外，4月下旬合约价多呈持平或小幅上涨，而NAND Flash现货市场交易持续低迷，价格则是微幅下跌。DDR 256Mb eTT价格上周一度涨到2.4 美元，超越 DDR 256Mb品牌颗粒，但是在贸易商获利了结，卖压出笼下，价格拉回到2.33美元。目前市场仍在等待本周力晶的官价与放货数量，因此买家普遍仍在观望。
而由于DDR eTT价格大幅上涨，因此DDR 256Mb价格也跟着补涨，DDR 256Mb 400MHz价格则由2.28美元上涨至2.47美元，DDR 512Mb 400MHz价格由4.51美元上涨至 4.47美元。
至于DDR2部分， DDR2 533MHz 512Mb价格于上周由 4.92美元微幅上涨 5.0美元，DDR2 512Mb N.M.B价格则是上涨至3.69美元，涨幅约2.5%。
此外， 4月DRAM合约价走势，在淡季中依然维持高档，主要来自于DRAM供给持续吃紧，尤其在 4月下旬，有些DRAM厂商甚至成功地调涨合约价，台系厂商茂德声称4月下旬合约价持平，DDR 256Mb维持在19至19.5美元，而DDR2 512Mb均价在45美元。
各DRAM厂的合约价动态中，南科则对客户追加订单部份调涨，原本DDR2 512Mb成交价约44-45 美元，订单加量部份则成交约46-48美元。南科声称DDR2 1GB及667MHz需求上升，带动整体ASP上扬。国际大厂英飞凌同时宣称小幅调涨合约价，韩国三星 4月上旬合约价，DDR2 512Mb即大部份成交在45-47美元。
在 DDR方面，电脑系统大厂面临DRAM厂调涨的压力远高于DDR2，因为至4月上旬DDR 512Mb成交区间主要于 36-38美元，而DDR2 512Mb成交区间主要于45-46。两者价差甚大。在 4月下旬合约价谈判中，DRAM厂企图将 DDR 512Mb成交价往38-40美元推进，大部份的电脑系统厂已接受小幅上涨。
NAND Flash方面，由于现货市场交易仍不热络，需求维持低迷，买方在交易时，不断要求更低的价格，整体而言，8Gb及2Gb需求较好，价格仍是持续小幅走跌趋势。
