CCD(电荷耦合器件)和 CMOS ( 互补金属氧化物半导体)图像传感器都用来捕获数字图像，但各有优缺点，特别是在满足摄像手机市 场要求方面。对大多数摄像手机设计来说，成像传感器的具体要求包括：体积小、功耗低、保证及时可靠供货、成本低、异常强健等。对 CCD传感器和CMOS传感器来说，最终图像的质量都受到以下几种因素的影响：图像信号中引入的噪声、几何畸变、图片的清晰度和焦距、 曝光度或明亮度、色彩质量。
CCD成像质量优于CMOS
在CCD中，对每个像素，光落在一个光电二极管上，光电二极管 产生一个与落在上面的光的数量直接成比例的电荷。在光电二极管旁边的每个图像元件上的电荷传送寄存器(C TR ) 中捕获形成的电荷， 这个电荷从A行的CTR传送到读数寄存器(R行)中。读数寄存器把这一电荷馈送到放大器中，然后馈送到模数转换器(A DC ) ，之后进行复 位，以便能够从下一行(B行)像素中接收电荷，然后再次传送到输出放大器，之后传送到ADC上。这一过程一直重复，直到读取了所有行。 A行上的电荷与B行上的电荷耦合，B行上的电荷与C行上的电荷耦合，依此类推。在A上的电荷到达R时，B移动到A，C移动到B，依此类推。
通过这种方法，可以实现噪声非常低的高性能传感器。但是，这 种专门化意味着其他电路必须位于芯片之外，因此增加了设计复杂度 和成本。由于CCD成像器正常运行还需要许多时钟信号和偏置电压， 因此进一步提高了功耗，增加了成本，加大了整体尺寸。
CCD 成像器可以提供非常自然的色彩，大大改善了低亮度时的性 能，提高了清晰度。另外，CCD成像器的质量一致性更高，同一部件之间的变化非常小，这都是它的优点。其主要的缺点是成本高，设计 也比较复杂，它不是单芯片器件，因此在手机设计中实现的成本要更高。CCD成像器通常需要更多的支持芯片，这些芯片要占用额外的空 间，要耗用功率，发出更多的热量。
CMOS占空系数低于CCD
CMOS 成像器也有一个图像元件，其中包含一个光电二极管。但是 CMOS成像器不在芯片的单独部分或在芯片外存储或处理电荷，而是在光电二极管旁边进行处理。这种处理包括电荷到电压的转换、放大非 常低的光电二极管信号及降低噪声等其他处理，这样可以降低功耗，加快图像处理速度。但是，这种“图像元件上”的处理电路也有自己 的缺点。电荷转换和放大占用了额外的空间，降低了捕获光子使用的空间。这导致CMOS的占空系数低于CCD。
占空系数是采集光线专用的一个像素所占的百分比。对CCD传感器来说，占空系数是100%，而对一般的优秀CMOS传感器来说，占空系 数更可能在60%-70%之间。这意味着CMOS传感器在低亮度条件下传感能力较差。通过降低处理电路容量，可以提高CMOS传感器的占空系数， 微型透镜可以帮助聚焦进入图像元件非光电二极管部分的光线重定向到光电二极管上。
安捷伦超小型百万像素CMOS传感器是为摄像手机而优化的，在同 一个芯片上内置图像处理和JPEG压缩功能，它还生成预先压缩的快速 数据输出，可以明显提高发送图像的速度。
CMOS传感器的优点包括：功耗低；体积小；缩短产品开发周期； 价格低。
其缺点是：为在降低黑色噪声的情况下生成明亮的图片，需要的 光线要高于CCD；制造变化的一致性不如CCD成像器；对成像领域相对较新，因此不像CCD那样经过验证；不能支持非常高的分辨率(一般超 过500万像素)。 相关链接 CMOS与CCD制造工艺比较
CCD 技术是在20世纪70年代和80年代开发的，经过大约30年的生 产和制造工艺改进，CCD成像器已经高度优化，如今已经成为数字静止摄像机和便携式摄像机的流行技术。与CMOS不同，CCD采用专用成像特 定工艺制造，装配和维护成本较高，只能在数量有限的成像器输出中分摊成本，其输出数量一年只有几百万颗，相比之下，CMOS处理器的 输出数量要达到几千万或几亿。
CMOS图像传感器要小得多，其功耗要低于CCD成像器，但目前提 供的图像质量较差。CMOS已经成为手机、视频会议使用的PC摄像机、扫描仪、条形码阅读机和安全摄像机的支柱。CMOS成像器采用大批量 铸造厂中采用的标准CMOS硅工艺。在CMOS中，可以在同一个制造工艺中简便地集成时钟驱动器、模数转换器或数字逻辑等电路，甚至可以 在同一张芯片上制造这些电路。
