2006年2月15日召开的国家“十一五”半导体照明专项发展战略座谈会上,多位院士提出,半导体照明产业关系重大,其发展成败不仅关系到照明领域在未来发展中的节能降耗问题,更重要的体现在我国整个第三代宽禁带半导体技术发展的发展上。甘子钊院士认为,要以陈良惠院士提出的泛半导体照明概念,从固体照明入手为第三带宽禁带半导体发展打基础,研究的方向向衬底材料、激光器、紫外等延伸;郑有斗院士也有同感,从表面看是促进白光照明发展,其也是第三代宽禁带半导体技术的发展。应在现有的良好基础上,通过十一五的努力,形成我国自主创新的一个典型范例;秦国刚院士强调,半导体照明既关系节省能源又涉及第三代半导体技术和产业的发展,要从战略的高度进行课题设置,不仅在器件研究方面,还应该结合半导体器件的其他的一些技术问题全面设置,充分研究。王占国院士在充分认同这种观点的同时,强调要重视人才的引进和国家平台的建设。同时,要针对研究的不同侧重点和方向,做好与国家自然科学基金委和发改委、军工等部门的科研结合,作好上中下的战略部署,在争取国家更大投入的前提下,集中资源,夯实基础,实现我国半导体照明产业以及整个第三代半导体技术的重点跨跃和健康发展。 信息来源:中国半导体照明网