我们来看看这三个途径。
第一个途径三色LED合成白光综合性能最好，在高显色指数下，流明效率有可能高达200lm/W，要解决的主要技术难题是提高绿光LED的电光转换效率，目前只有13％左右，同时成本高。
第二个途径，LED激发荧光粉形成白光是一条综合性能适中、成本较低、近期内可能实现化的途径，尤其是蓝光LED（460纳米）和黄红粉结合具竞争力，但流明效率难以达到长远目标值，紫外LED（360纳米）和技术较未成熟的红率蓝粉结合也是一条较易实现的。
固态白光最新进展，最新研制的蓝光LED和荧光粉构成的固态白光器件：到今年为止国际上做的最好的就是碳化硅，它的流明效率可以做到75lm/W。还有是蓝宝石做衬底，这个价格较便宜，流明效率可以做到每瓦61.4lm。
LED研究进展，研究目的：实现高效率、高功率、长寿命器件。技术难题：降低缺陷密度、改善欧姆接触、电场均匀性、提高光引出率、降低温升等。主要措施：侧向生长、匹配衬底、封装技术改进等。主要进展：蓝光外量子效率：36－39％。
从芯片来说，衬底材料，一个是芯片外延技术，还有是LED器件的制作。现在这几方面都取得了比较大的进展。在蓝宝石上，因为它的衬底不匹配，所以采取了侧向外延的技术，最后性能取得了比较大的改进。
在蓝博士上LED的性能，尽管采取了很多措施，但还是不如在碳化硅上做的不光是蓝宝石也好或者是碳化硅也好，都是不匹配的，匹配的工艺做起来难度比较大。大家看这个图，这是在氮化铝这个衬底上做的结果，所用衬底材料分别为AlN晶体和SiC晶体以及GaN和蓝宝石，分别在其上制作多量子井紫外发光器件。
芯片研究的进展结果： 1、基于蓝宝石衬底的蓝、绿、紫及紫外LED目前所获得的最佳性能是在采取侧向生长等技术的基础上取得的，目的在于减小位错密度，蓝、紫器件的外量子效率约40％，而绿、紫外器件约15％，离目标值分别相差2－6倍，基于该芯片的白光性能改进主要依赖于荧光粉和封装技术的改进。
2、由于碳化硅上所做的器件具有更小的位错密度，基于该衬底的各色光LED性能仍优于上述蓝宝石衬底侧向生长的LED性能，但由于该衬底材料较蓝宝石贵7－10倍，有关性能优化的研究工作做的相对较少，也许还有较大的潜力可挖。但是碳化硅的价钱比较贵，买这个东西的投资太大了。
3、分别用碳化硅和氧化铝以及GaN和蓝宝石作为衬底材料所做的发光期间对比实验表明，它们的紫外发光特性具有数量级的差别，说明基于匹配衬底所做的低缺陷密度LED有可能获得最佳的发光性能。（包括流明效率和单管产生的数据）。
荧光粉研究的情况，和芯片情况来比较说的话，不可做调整的荧光粉，黄分量子效率已提高至7％，红色还继续我们继续来做。用溶胶凝胶法将厚度为2纳米的二氧化硅包裹在直径为数10纳米的Zes荧光粉粒外面。
封装技术研究进展，对功率型LED封装的技术要求，1、尽可能实现良好的混色效果；2、尽可能提高光输出效率；3、尽可能降低器件的温度。倒封优点--导电好，电场均匀，散热好，有利于提高单管光功率输出。
这一张是我们前几天在大连开会的时候做的演示，发光效率达到100lm/W，单只LED的光通量达到100lm，可靠性2万小时，成本是0.02元/lm在这个情况之下就可以走向市场。
各个国家都有照明发展计划。这是美国的固体照明发展计划，到2020年每W是200lm，和白炽灯、日光灯都有比较。 我国现在在大连、上海、南昌、厦门都有基地。
现在存在的问题：1、效率低，尚未达到和超过荧光灯的水平；2、价格高，目前难于在照明领域推广。3、有一系列理论、技术和工艺问题亟待解决。信息来源：中国半导体照明网