半导体照明按产业链结构看，从下游到中游再到上游，技术含量与难度逐渐加大。 衬底作为半导体照明产业技术发展的基石，目前能用于批量生产外延片的衬底材料仅有蓝宝石和碳化硅衬底，其它诸如 GaN、Si、ZnO衬底还处于研发阶段，离产业化还有一段距离；芯片技术正向衬底剥离技术、表面粗化技术、发展大功率大尺寸芯片并提高侧向出光的利用效率等方向发展；在封装方面，各单位都在致力于解决散热、二次光学设计、静电防护、筛选与可靠性保证等关键技术，并向大面积芯片封装、开发大功率紫外光LED、开发新的荧光粉和涂敷工艺、多芯片集成封装等方向发展。
目前，美、日、德、台湾已经发展成为世界半导体照明产业技术水平最高的国家和地区，处于引领产业发展方向的前沿位置，且大部分专利技术掌握在以 Cree 、 Lumileds、 Nichia 、 Toyoda Gosei 、 Osram 为首的少数大公司手中，对核心技术有很强的保护措施；同时，各主要国家和地区纷纷制订产业发展技术路线图，组织强势企业和科研机构进行技术突破，拟在技术领域占领制高点。 我国半导体照明产业在“ 863”和攻关计划的支持下，技术水平发展很快，在个别环节上 达到国际先进水平（如功率型蓝芯片发光功率 现已 达到130 mw，功率型白光LED发光效率超过35 lm/w）， 但整体水平与国外相比还存在很大的差距，仅从专利角度看， 主要 差距 表现在上游专利申请量少，并以外围发明专利为主，下游申请量虽大，但大部分都是实用新型专利。
全球半导体照明市场增长很快， 2003年达到规模45亿美元，近几年年均增长率超过20％。 作为照明基础的高亮度 LED的增长更加迅速，在1995-2004年的十年间年均增长率达到46％，2004年市场规模达到37亿美元。目前，高亮LED主要应用于手机与PDA等背光源、显示屏、汽车、交通信号、景观装饰、特种工作照明等领域，其中手机、PDA等的背光源占高亮LED市场的58%。
目前，全球半导体照明产业形成了 以美国、亚洲、欧洲三足鼎立的全球产业格局。 世界主要厂商分布在美国、日本、欧盟等地，他们拥有核心技术专利，在 GaN基蓝、蓝光LED、白光技术方面具有领先优势，同时在产业规模方面也具有优势。我国台湾地区和韩国堵塞LED产业近年来发展很快，台湾地区的芯片数量和封装产量占到全球的60％。半导体照明是一个新兴的产业，技术水平发展很快，新技术、新产品不断涌现，一些可以用于白光照明的功率型 LED产品已可批量生产，产业发展已达到一个快速上升的阈值。
2003年中国（不含台湾、香港、澳门、西藏地区）LED的生产数量达到200亿只，销售额为100亿元人民币，约占全球市场的12% 。 1993-2003年间中国LED销售量和销售额的年均增长率分别为20 % 和 31 % 。 据预测，未来五年我国 LED的年均增长率仍将保持19％左右，2008年市场规模有望达到250亿元，功率型LED产品市场平均增长率将达到27%。
目前，国际半导体照明产业竞争逐步加剧，知识产权和行业标准成为竞争的热点。主要厂商利用其专利方面的优势，试图通过设置专利壁垒和制定行业标准来控制市场，限制和阻挠其它国家和企业的发展，在竞争中占据有利地位。 信息来源：中国半导体照明网
