液相磊晶成长系统的磊晶层成长温度,一般设定在摄氏800度,这是因为GaAs基板上氧化层三氧化二镓需要经过摄氏650度以上的温度处理后,才能分解去除。因此,当成长温度设定在摄700度的时候,称为低温成长。
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液相磊晶成长系统的磊晶层成长温度,一般设定在摄氏800度,这是因为GaAs基板上氧化层三氧化二镓需要经过摄氏650度以上的温度处理后,才能分解去除。因此,当成长温度设定在摄700度的时候,称为低温成长。