上海交大在国内首次取得重大突破
被称为国际芯片设计里程碑的深亚微米芯片设计技术在我国取得重大突破，由上海交大大规模集成电路研究所研究完成的“深亚微米集成电路设计技术”近日通过教育部主持的专家鉴定，这也是我国首次完成这一技术。
近年来，集成电路向着系统集成的目标飞速发展，要求芯片的特征尺寸进入0．35μm以下的深亚微米档级，深亚微米技术由此成为国际上芯片设计的里程碑，并成为当前各发达国家在微米电子领域技术竞争与技术垄断的焦点。我国曾经在这一领域落后发达国家15年之多，目前我国生产所需的芯片只有19％是自己设计生产，而且大多是0．8μm以上的中低档产品。以加工0．35μm以下深亚微米芯片为主流产品的华虹NEC是我国最重要的芯片制造厂，但由于缺乏国内定单，至今只能加工日本NEC的国外定单。
上海交大科研人员在短短的三四年间，不仅突破了0．35μm深亚微米集成电路设计技术的难度，而且登上了0．25μm深亚微米集成电路设计技术的高地，使我国成为继美国、日本之后少数几个在这一档级上掌握先进的集成电路设计技术的国家。专家们认为，这一技术的研究成功，不仅可以提高深亚微米芯片的国产化，而且可以大大降低各种信息家电和通讯产品的功耗和成本。