半导体物理
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作者： 钱佐华，徐至中著
出 版 社： 高等教育出版社
出版时间： 1999-6-1字数： 510000版次： 1页数： 633印刷时间： 2003/12/01开本：印次：纸张： 胶版纸I S B N ： 9787040069921包装： 平装内容简介
本书讲述半导体的物理基础，是半导体科技的入门教材。全书包括七章：第一章在能带的框架内讲解半导体电子的能量状态；第二章简要介绍电子的平衡统计；第三章讲述能带电子的输运规律；第四章说明外界作用引起额外载流子的行为；第五章讨论半导体的表面与界面；第六章介绍金属一半导体接触、pn结、异质结、量子阱及超品格；第七章讲解半导体光谱。本书内容新颖，便于使用。
本书可作为物理专业本科生的教材，也可供其他有关专业的师生及科研人员参考。
目录
第一章晶态半导体中的电子能量状态
§1.1在一维周期性势场中运动的电子波函数
§1.2在一维周期性势场中运动电子的能量状态——Kronig-Penney模型
§1.3紧束缚近似的能带表述和有效质量
§1.4在三维周期性势场中运动的电子波函数与能量状态
§1.5半导体的能带、满带、导带和能隙
§1.6半导体中电子的速度与加速度以及空穴的概念
§1.7半导体中的杂质能级，n型与p型半导体
§1.8回旋共振与半导体的复杂能带
第二章半导体电子和空穴的平衡态统计分布
§2.1状态密度
§2.2费米分布函数和载流子密度的一般公式
§2.3非简并情况下的费米能级和载流子密度
§2.4杂质补偿
§2.5重掺简并
第三章半导体的输运现象
§3.1电导率与玻尔兹曼方程
§3.2载流子的散射机构
§3.3迁移率与温度的关系
§3.4热载流子
§3.5电子的谷间转移及Gunn效应
§3.6霍尔效应
§3.7磁阻
§3.8热电效应
第四章外界作用引起额外载流子的行为
§4.1额外载流子的注入与复合
§4.2复合过程
§4.3陷阱作用
§4.4介电弛豫时间
§4.5少子扩散
§4.6漂移-扩散-复合方程及其解
§4.7稳态建立过程中的少子运动
§4.8双极扩散与丹倍电场
§4.9光磁效应
§4.10光致pn结非平衡
第五章半导体表面与界面
§5.1半导体清洁表面的原子结构及表面电子态
§5.2研究清洁表面的主要实验方法
§5.3真实表面的si-SiO2界面结构
§5.4si—siO2界面的表面势
§5.5研究半导体和绝缘体界面的MOS电容法
第六章金属一半导体接触、pn结、异质结、量子阱及超晶格
§6.1金属一半导体接触的势垒模型
§6.2接触势垒的整流理论
§6.3金属一半导体二极管的电流特性
§6.4势垒高度的测量
§6.5pn结
§6.6异质结
§6.7量子阱与二维电子气
§6.8多量子阱与超晶格
第七章半导体光谱
§7.1介电响应的宏观理论
§7.2半导体自由载流子和晶格振动的光响应
§7.3半导体电子带间本征跃迁的量子理论
§7.4激子状态和激子吸收光谱
§7.5杂质吸收光谱
§7.6半导体的发光光谱
§7.7半导体的调制光谱
§7.8拉曼散射和半导体的共振拉曼散射光谱
§7.9半导体量子阱和超晶格的光谱
附录1.1绝热近似与单电子近似
附录1.2晶体中电子的速度
附录1.3有效质量近似
附录3.1多能谷旋转椭球面导带结构半导体的电子电导率计算
