薄膜晶体管（TFT）阵列制造技术
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作者： 谷至华编著
出 版 社： 复旦大学出版社
出版时间： 2007-9-1字数： 480000版次： 1页数： 411印刷时间： 2007/09/01开本：印次：纸张： 胶版纸I S B N ： 9787309056556包装： 平装内容简介
高质量的平板显示器的核心是薄膜晶体管（Thin film transistor ,TFT）矩阵的特性和制造技术。这本书主要介绍非晶硅（amorphous silicon，a-Si）TFT阵列大规模生产的制造技术。
全书共13章，从TFT元件的结构及特点，到TFT检查与修复。包括TFT阵列制作清洗工艺，成膜工艺，光刻工艺，不良解析和检查修复。从TFT阵列大规模制造的角度，第一次比较全面的介绍了TFT-LCD生产线的TFT阵列制造工艺技术，工艺参数，生产工艺技术管理，工艺材料规格，设备特性，品质控制，产品技术解析。以工艺原理，设备参数控制，材料特性要求，生产工艺文件要求等大规模生产技术要素为核心，比较完整的介绍了现代化信息制造业的工艺流程与工艺管理。
本书可作为平板显示行业工程师，技术人员，管理人员的参考用书，也可供高等院校相关专业方向研究人员，研究生以及相关行业从业人员参考。
目录
引言
一、平板显示——人类智慧之窗
二、薄膜晶体管的技术特点
第一章TFT LCD生产线建设
1.1TFT-LCD项目准备工作
1.2 投资估算
1.3 厂房建设
1.4 净化系统
1.5信息管理系统
1.6技术管理系统
1.7TFT阵列制造的主要设备
1.8TFT阵列制造的设计技术和研发
第二章TFT元件的结构及特点
2.1场效应晶体管的工作原理
2.2非晶硅TFT的结构与特点
2.3TFT阵列
第三章TFT工艺概述
3.1阵列工艺的主要设备
3.2阵列工艺的主要原材料
3.3 7次光刻的简要回顾
3.4 TFT 5次光刻的工艺技术
3.5 4次光刻技术
3.6 多晶硅和高迁移率TFT技术
3.7 硅基液晶显示技术
3.8 TFT阵列工艺技术课题
3.9 TFT制造统计过程控制
第四章 TFT阵列制作清洗工艺
4.1污染物来源及分类
4.2洗净原理及方法
4.3洗净材料
4.4洗净设备
4.5清洗工艺条件的确定
4.6清洗作业安全及作业异常处置
4.7洗净工艺展望
第五章溅射成膜（金属膜）
5.1溅射技术历史的简短回顾
5.2溅射原理及分类
5.3溅射材料
5.4溅射设备
5.5溅射工艺条件的确定
5.6金属膜质量控制
5.7溅射作业安全及异常处理
第六章CVD成膜（非金属膜）
6.1化学气相沉积技术原理及分类
6.2CVD材料
6.3CVD设备
6.4CVD工艺条件的确定
6.5TFT元件特性的简单讨论
6.6CVD成膜设备的回顾与展望
第七章曝光与显影工艺技术
7.1工艺原理
7.2曝光工艺材料——光刻胶
7.3曝光工艺设备
7.4工艺条件的确定
7.5灰度掩模板光刻工艺
7.6曝光量与光刻胶形状评价
7.7工艺管理与设备日常点检
7.8显影
第八章湿刻工艺技术
8.1湿法刻蚀原理
8.2湿刻工艺
8.3湿法刻蚀设备
8.4工艺性能要求
8.5工艺参数
8.6湿刻工艺中常见的缺陷
第九章干刻工艺技术
9.1等离子体干刻原理
9.2干刻设备
9.3干刻工艺
9.4硅岛刻蚀工艺
9.5光刻胶刻蚀工艺
9.6沟道刻蚀工艺
9.7接触孔刻蚀工艺规范
第十章光刻胶剥离与退火
10.1光刻胶剥离原理与材料
10.2工艺要求
10.3装置介绍
10.4重要工艺参数
10.5工艺条件设定
10.6日常点检
10.7退火
第十一章缺陷解析技术
11.1缺陷解析基础
11.2TFT阵列缺陷的分类与代码
11.3缺陷解析的主要工具
11.4缺陷解析流程
11.5主要缺陷解析
11.6TN型液晶显示器TFT缺陷图谱及解析
11.7超精细宽视角型液晶显示器TFT缺陷图谱及解析
第十二章TFT检查与修复
12.1阵列检查流程
12.2流程设定
12.3检测设备
12.4宏观/微观检查
12.5自动外观检查装置
12.6激光修复和激光CVD装置
12.7阵列测试检查装置
12.8断路和短路电气检查装置
12.9附录TN 4 Mask产品图案检查操作规格书
第十三章TFT制造工艺小结与技术展望
13.1TFT阵列制造工艺小结
13.2TFT平板显示技术展望
参考文献