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　　分類: 图书,工业技术,电子 通信,微电子学、集成电路（IC）,

作者： （美）贝克 著，刘艳艳 等译

出 版 社： 人民邮电出版社

出版时间： 2008-5-1字数： 493000版次： 1页数： 366印刷时间： 2008/05/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787115176851包装： 平装内容简介

本书是CMOS集成电路设计领域的一部力作，是作者20多年教学和研究成果的总结，内容涵盖电路设计流程、EDA软件、工艺集成、器件、模型、数字和模拟集成电路设计等诸多方面，由基础到前沿，由浅入深,结构合理，特色鲜明。

本书对学生、科研人员和工程师各有所侧重。无论对于哪一种类型的读者而言，本书都是一本极好的参考书。

作者简介

R．Jacob Baker博士，世界知名的电子设计专家。他曾在美国军方和国家实验室从事多年尖端电子设备的研制工作。并长期担任Micron．Amkor、Rendition等业界知名公司的技术顾问。在集成电路设计方面拥有200多项专利。1993年转入学界，任教于爱达荷大学，2000年加入博伊西州立大学电子工程系担任教授至今，期间参与创立了该校的电子工程博士学位项目，并任系主任多年。他是IEEE高级会员．曾于2000年获IEEE电力电子学会最佳论文奖。他把业界的经验带进了课堂。于2007年凭借本书获美国工程教育协会Frederick EmmonsTerman奖。他的个人主页是http：／／cmosedu．com／jbaker／jbaker．htm。

目录

第1章CMOS设计简介

1.1CMOS集成电路设计流程

1.2CMOS基础

1.3SPICE简介

延伸阅读

习题

第2章阱

2.1图形制作

2.2N阱的版图设计

2.3阻值的计算

2.4N阱/衬底二极管

2.5N阱的RC延迟

2.6双阱工艺

延伸阅读

习题

第3章金属层

3.1连接焊盘

3.2用金属层进行设计和版图绘制

3.3串扰和地电位上跳

3.4LASI版图设计实例

延伸阅读

习题

第4章有源层和多晶硅层

4.1用active层和poly层绘制版图

4.2将导线与poly和active相连

4.3静电放电保护

延伸阅读

习题

第5章电阻、电容、MOS管

5.1电阻

5.2电容

5.3MOS管

5.4版图实例

延伸阅读

习题

第6章MOS管工作原理

6.1MOS管电容回顾

6.2阈值电压

6.3MOS管的IV特性

6.4MOS管的SPICE模型

6.5短沟道MOS管

延伸阅读

习题

第7章CMOS制备

第8章电噪声概述

第9章模拟设计模型

第10章数字设计模型

第11章反相器

第12章静态逻辑门

第13章钟控电路

第14章动态逻辑门

第15章VLSI版图设计举例

第16章存储器电路

第17章Δ∑调制感测

第18章专用CMOS电路

第19章数字锁相环

书摘插图

第2章 放大器

本章将注意力转向放大器。在每个运算放大器设计中几乎都采用了单级放大器。通过采用MOS管晶体管(被称为有源负载)代替无源电阻负载，可以显著节省芯片面积。而且，与无源电阻相比，有源负载可提供更大的阻值，从而得到更高的增益。

本章将研究几种不同类型的有源负载。栅一漏负载是将MOS管的栅极与漏极短接，用这种有源负载构成的放大器，带宽大、输出阻抗低，但缺点是增益小。电流源负载放大器具有很高的增益和输出阻抗，但带宽较小。当用外部反馈来设定放大器的增益时，更倾向于采用电流源负载放大器。本章将分析基本有源负载单级放大器，以及每种情况的折中考虑。另外，将结合多种结构的输出级(包括推挽放大器)，详细讨论共源共栅放大器的特性。

2.1 栅一漏短接有源负载

如图l—1所示，栅一漏短接MOS管(负载)是半个电流镜。这里，将由上一章介绍的直流工作条件和偏置，转到讨论交流小信号分析。

2.1.1 共源放大器

栅一漏短接MOS管(工作在非零漏极电流条件下)可以被看作阻值为l／gm的电阻[参见第1卷图9—18和式(9—25)]。图2—1中给出了4种可能的采用栅一漏短接负载的共源(CS)放大器。在每种结构中，假设Ml管和M2管都被偏置在饱和区。注意在每种结构中，放大MOS管(即非负载或栅一漏短接MOS管)的源极如何成为输入和输出的公共端。

……

 

 

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