微波固态电路
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作者： 喻梦霞，李桂萍 编著
出 版 社： 电子科技大学出版社
出版时间： 2008-8-1字数： 530000版次： 1页数： 338印刷时间： 2008/08/01开本： 16开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787811148985包装： 平装内容简介
微波集成电路近些年发展迅速，已广泛用于卫星通信、电视转播、中继通信、数据与图像传输、雷达、遥控遥感、电子对抗等领域，工作频段由1GHz覆盖到100GHz，且正在向100GHz以上延伸，因此本教材主要讨论微波集成电路，针对目前微波电路发展的最新状况，主要介绍微波半导体器件，包括各种新器件，及其组成的微波、毫米波电路。全书共包括七章，主要为微波集成电路基础；微波晶体管放大器：微波混频器和检波器；微波倍频器；微波振荡器；微波控制电路等。
本书是为电子科学与技术、电磁场与微波技术、电子工程和通信工程等专业的高年级本科生编写的教材，供微波电路、微波固态电路课程使用。也可以作为毫米波雷达、制导、电子对抗、遥感技术、计量仪表专业的研究生以及从事相关研究项目的工程技术人员的参考书。
目录
第一章引言
1.1微波，毫米波频段
1.2微波电路的发展
1.3微波集成电路的应用
第二章微波集成电路基础
§2.1微波集成传输线
2.1.1概述
2.1.2介质基片与导体材料
2.1.3微带电路的设计与制作
§2.2微波单片集成电路
2.2.1概述
2.2.2微波单片集成电路材料和加工技术
2.2.3微波单片集成电路常用的元器件
2.2.4微波单片集成电路工艺过程
2.2.5MMIC技术及应用
§2.3微带电路的不连续性
2.3.1微波电路不连续性
2.3.2微带元件
§2.4阻抗变换
2.4.1并联导纳型（或串联阻抗型）的匹配网络
2.4.2阻抗变换型的匹配电路
§2.5功率分配器和耦合器
2.5.1Wilkinson功率分配器
2.5.2耦合器
第三章微波晶体管放大器
§3.1引言
§3.2微波双极结型晶体管
3.2.1微波硅双极性晶体管
3.2.2异质结双极晶体管（HBT）
§3.3微波场效应晶体管
3.3.1GaAsMESFET
3.3.2高电子迁移率晶体管（HEMT）
§3.4微波晶体管放大器特性
3.4.1微波晶体管的s参数
3.4.2微波晶体管放大器的增益
3.4.3微波晶体管放大器的稳定性
3.4.4放大器的稳定措施
3.4.5微波晶体管放大器的噪声特性
§3.5小信号微波晶体管放大器的设计
3.5.1高增益设计
3.5.2固定增益电路
3.5.3低噪声设计
3.5.4多级放大器晶体管选择
3.5.5微波宽带放大器
3.5.6微波晶体管放大器CAD工具简介
§3.6微波晶体管功率放大器
3.6.1功率放大器的特性
3.6.2晶体管的大信号特性
3.6.3用小信号S参数设计功率放大器
3.6.4功率合成技术
习题
第四章微波混频器和检波器
§4.1引言
§4.2肖特基势垒二极管和检波二极管
4.2.1肖特基势垒二极管
4.2.2检波二极管
§4.3微波混频器工作原理
4.3.1非线性电阻混频原理
4.3.2微波混频器严格理论分析
4.3.3混频器指标
§4.4微波混频器的基本电路
4.4.1单管混频器
4.4.2单平衡混频器
4.4.3双平衡混频器
4.4.4双双平衡宽带混频器
4.4.5微带平衡混频器设计举例
§4.5镜像回收混频器
4.5.1滤波器式镜像回收混频器
4.5.2平衡式镜像回收混频器
……
第五章微波倍频器
第六章微波振荡器
第七章微波控制电路
附录Ⅰ用ADS设计高境益放大器
附录Ⅱ用ADS设计低噪声放大器
附录Ⅲ用ADS设计功率放大器
附录Ⅳ用ADS设计混频器
附录Ⅴ用ADS软件设计VCO
附录Ⅵ变容管倍频器设计表格
参考文献
书摘插图
第三章微波晶体管放大器
§3.1引言
晶体管是现代RF和微波系统中的关键器件，可用作放大器、振荡器、开关、移相器和有源滤波器。晶体管器件可分为结型晶体管和场效应晶体管。结型晶体管包括双极结型晶体管和异质结双极型晶体管，它既可以是NPN结构，也可以是PNP结构。
现代的结型晶体管是使用硅、硅、锗、砷化镓和铟磷材料制成。世界上第一只点接触三极管出现在1948年，随着半导体材料的不断改进和更新，晶体管的品种和性能取得了飞速发展。
早在20世纪50年代，三极管基本选用的是锗材料，其性能和可靠性都受到很大限制，基本没有实用器件进入微波领域。
20世纪60年代初，随着硅材料的改进和平面工艺的出现，硅三极管性能的改进不仅使其工作频率进入微波领域，而且还在不断提高。硅结型晶体管由于低成本并在频率范围、功率容量和噪声特性方面有良好的工作性能，因而已成为使用年代最长和最流行的有源RF器件之一。20世纪60年代末，硅器件和硅工艺尽管在不断发展，并一直延续至今，但作为微波三极管来说，其频率性能已接近硅材料的极限，硅结型晶体管用作放大器，频率范围可达2～10GHz，而用在振荡器中时频率高达20GHz。使用SiGe的结型晶体管的最新发展表明它有高得多的截止频率，从而使得这些器件可用于20GHz或更高工作频率。异质结双极型晶体管（HBT）使用GaAs或InP材料，能在超过100GHz的频率工作。
场效应晶体管（FET）可有多种类型，包括金属半导体场效应晶体管（MESFET）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、赝晶型高电子迁移率晶体管（PHEMT）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和金属绝缘物半导体场效应晶体管（MISFET）。场效应晶体管技术已持续发展了50年以上，第一个结型场效应晶体管是在20世纪50年代开发出来的，而HEMT的提出则是在20世纪80年代初期。
……
