化合物半导体器件
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作者： 吕红亮，张玉明，张义门编著
出 版 社： 电子工业出版社
出版时间： 2009-5-1字数：版次： 1页数： 160印刷时间：开本： 16开印次： 1纸张：I S B N ： 9787121086403包装： 平装内容简介
本书介绍了化合物半导体物理的基础知识和原理。全书共8章，主要内容为：半导体器件物理的基础内容、化合物半导体材料及其基本电学特性；化合物半导体器件的种类及其特性，包括双极型器件、异质结器件、场效应器件、量子效应、热电子器件和光电子器件；宽禁带半导体材料与器件。
本书可作为高等学校微电子学，集成电路设计及相关专业研究生和本科高年级学生化合物半导体材料和器件课程的教材；也可作为从事化合物半导体材料或器件分析的科研和工程技术人员的参考。
目录
第1章绪论
1.1历史和动态
1.2内容安排和说明
参考文献
第2章化合物半导体材料与器件基础
2.1半导体材料的分类
2.1.1元素半导体
2.1.2化合物半导体
2.1.3半导体固溶体
2.2化合物半导体材料特性
2.2.1晶格结构
2.2.2晶体的化学键和极化
2.2.3能带结构
2.2.4施主和受主能级
2.2.5迁移率
2.3化合物半导体器件的发展方向
思考题
参考文献
第3章半导体异质结
3.1异质结及其能带图
3.1.1异质结的形成
3.1.2异质结的能带图
3.2异型异质结的电学特性
3.2.1突变异质结的伏安特性和注入特性
3.2.2界面态的影响
3.2.3异质结的超注入现象
3.3量子阱与二维电子气
3.3.1二维电子气的形成及能态
3.3.2二维电子气的态密度
3.4多量子阱与超晶格
思考题
参考文献
第4章异质结双极晶体管
4.1HBT的基本结构
4.1.1基本的HBT结构
4.1.2突变结和组分渐变异质结
4.2HBT的增益
4.2.1理想HBT的增益
4.2.2考虑界面复合后HBT的增益
4.2.3HBT增益与温度的关系
4.3HBT的频率特性
4.3.1最大振荡频率
4.3.2开关时间
4.3.3宽带隙集电区
4.4先进的HBT
4.4.1SiSiGeHBT
4.4.2Ⅲ-Ⅴ族化合物基HBT
思考题
参考文献
第5章化合物半导体场效应晶体管
5.1金属半导体肖特基接触
5.1.1能带结构
5.1.2基本模型
5.2金属半导体场效应晶体管（MESFET）
5.2.1MESFET器件结构
5.2.2工作原理
5.2.3电流—电压特性
5.2.4负阻效应与高场畴
5.2.5高频特性
5.2.6噪声理论
5.2.7功率特性
5.3调制掺杂场效应晶体管
5.3.1调制掺杂结构
5.3.2基本原理
5.3.3电流—电压特性
思考题
参考文献
第6章量子器件与热电子器件
第7章半导体光电子器件
第8章宽带隙化合物半导体器件
书摘插图
第2章化合物半导体材料与器件基础
2.2化合物半导体材料特性
从根本上讲，半导体器件的工作特性决定于所用材料的基本物理性能，因而，对半导体材料基本性能的深入理解，是器件设计和器件特性分析的基础。特别是在对器件特性进行计算机模拟的时候，只有对制造材料的基本性能有深刻认识，才能有对器件材料参数的正确引用，才能使模拟结果更接近真实。最重要的半导体材料特性包括：晶格结构、能带结构、有效质量和有效态密度等。本节将从这几个方面对化合物半导体的性质进行探讨，作为对比，也给出硅的部分材料参数。
2.2.1晶格结构
晶体中原子的周期性排列称为晶格。在晶体中，原子并不会偏离固定位置太远。当原子热振动时，仍以此中心位置作微幅振动。通常以一个单胞来代表整个晶格，将此单胞向晶体的各个方向连续延伸，即可产生整个晶格。
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