超大规模集成电路——基础·设计·制造工艺
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作者： （日）电子信息通信学会组编，岩田穆，角南英夫著，彭军译
出 版 社： 科学出版社
出版时间： 2008-1-1字数：版次： 1页数： 309印刷时间：开本： 16开印次：纸张：I S B N ： 9787030202789包装： 平装内容简介
本书共分为上下两篇，上篇为基础设计篇，主要介绍VLSI的特征及作用、VLSI的设计、逻辑电路、逻辑VLSI、半导体存储器、模拟VLSI、VLSI的设计法与构成法、VLSI的实验等；下篇为制造工艺篇，主要介绍集成工艺、平板印刷、刻蚀、氧化、不纯物导入、绝缘膜堆积、电极与配线等。
本书内容丰富，条理清晰，实用性强，既可供超大规模集成电路研发和设计人员及半导体生产单位管理人员使用，也可作为各院校集成电路相关专业的本科生、研究生及教师的参考书。
目录
上篇基础与设计
第1章VLSl的特征及任务
1.1VLSl的概念与基本技术
1.1.1VLSl的基本技术与发明
1.1.2 学科体系
1.2VLSl的种类
1.2.1按功能分类
1.2.2按器件分类
1.3半导体技术路线图
1.4对系统的影响
1.4.1 计算机系统
1.4.2 通信网络系统
1.4.3 数字家电系统
第2章VLSl的器件
2.1VLSl的构成要素
2.2MOS晶体管
2.2.1MOS的基本构造
2.2.2 MOS的工作原理与工作区域
2.2.3 MOS的电流电压特性
2.2.4MOS的器件模型
2.2.5MOS的等效电路模型
2.3二极管
2.4电阻
2.5 电容
2.6电感
2.7器件隔离
2.8布线
2.8.1 多层布线
2.8.2 布线电容
2.9VLSl技术的比例缩小法则
第3章逻辑电路
3.1CMOS逻辑电路
3.1.1 倒相器
3.1.2NAND门
3.1.3NOR门
3.1.4传输门
3.1.5选择器
3.1.6 异或门
3.1.7CMOS复合门
3.1.8时钟CMOS逻辑电路
3.1.9 动态CMOS逻辑电路
3.1.10 电流型逻辑电路
3.2CMOS逻辑电路的工作速度
3.2.1 门延迟时间
3.2.2 布线的延迟时间
3.3CMOS逻辑电路的功率消耗
3.3.1CMOS逻辑电路消耗功率的因素
3.3.2CMOS-VLSl的功率消耗
3.4控制电路
3.4.1 寄存器
3.4.2 同步系统
3.4.3计数器
第4章逻辑VLSl
4.1数字运算电路
4.1.1加法运算
4.1.2减法电路
4.1.3乘法运算
4.2时钟的发生与分配
……
第5章半导体存储器
第6章模拟VLSI
第7章无线通信电路
第8章VLSI的设计方法及构成方法
第9章VLSI的测试
下篇制造工艺
第10章LSI的制造工艺及其课题
第11章集成化工艺
第12章平版印刷术
第13章腐蚀
第14章氧化
第15章掺杂
第16章淀积绝缘膜
第17章电极和布线
第18章后工序——封装
引用参考文献
书摘插图
上篇基础与设计
第1章VLSl的特征及任务
1.1VLSl的概念与基本技术
1.1.1VLSl的基本技术与发明
集成电路出现以前，电子电路是由晶体管、电阻、电感、电容等分立元器件焊接在印制电路板上构成的，因而存在体积大、重量重、工作速度慢、功耗高且可靠性低等诸多缺点。集成电路是将大量的晶体管和电阻制作在硅片上，利用氧化硅将它们绝缘，通过芯片上的金属布线层将它们相互连接形成的。与分立元器件相比，其尺寸和布线小了3个数量级，所以工作速度变快，还降低了功耗。这是因为晶体管体积越小它的开关速度就越快。由于布线是在超净环境中与晶体管连接的，所以与烙铁焊接相比，连接点的可靠性要高得多。氮化硅绝缘膜能够防止外部水分的浸入，所以即使制作的元器件非常微细，它的性能也几乎不发生变化。基于这些特点，使得数目多达上亿的元器件也能够在1GHz以上的频率下稳定地工作。
1948年肖克莱发明的晶体管取代真空管成为基本器件，使得我们能够利用固体中的电子对电信号进行放大、开关。1952年G.W.A.Dummer在他发表的论文中第一次提出了关于集成电路的设想。文中提到“可以想象，随着晶体管和一般半导体工业的发展，电子设备可以在一个固体块上实现而不需要连线。这种固体块可以由绝缘体、导体、整流、放大等材料层组成。”……
