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　　分類: 图书,计算机/网络,计算机体系结构,

作者： 姚国林主编，苏闯，张同光副主编，卢宇清主审

出 版 社： 清华大学出版社

出版时间： 2009-7-1字数：版次： 1页数： 249印刷时间：开本： 16开印次： 1纸张：I S B N ： 9787302203513包装： 平装内容简介

本书以国内广泛使用的MCS-51系列单片机中的8051为对象，介绍了它的基本结构、工作原理、指令系统和基本的程序设计方法，以及MCS-51内部的主要资源，包括定时/计数器、中断系统、内部接口、串行通信接口的使用方法，重点介绍了MCS-51单片机的常用接口及控制技术和单片机应用系统开发及应用技术。针对单片机原理及应用，本着理论必须够用的原则，突出实用性、操作性，在编排上由浅入深，循序渐进，精选内容，突出重点，适当增加一些当今流行的新器件和新技术；对于接口技术和应用系统提供了详细的原理说明、电路图、完整的程序代码及程序流程图。

本书可作为高职高专院校自动化、电子信息、机电、电力和计算机等专业的教材，也可以作为工程技术人员的参考书。

目录

第1章 绪论

1.1 数制与编码的简单回顾

1.1.1 计算机中的数制及相互转换

1.1.2 二进制数的运算

1.1.3 带符号数的表示

1.1.4 带符号数运算时的溢出问题

1.1.5 定点数和浮点数

1.1.6 BCD码和ASCII码

1.2 单片机概述

1.2.1 电子计算机的问世及其经典结构

1.2.2 微型计算机的组成及其应用形态

1.2.3 单片机的发展过程

1.2.4 单片机的特点

1.2.5 单片机的应用领域

1.2.6 单片机的产品近况

习题1

第2章 MCS-51单片机的体系结构

2.1 MCS-51单片机的基本组成

2.1.1 80C51单片机的基本结构

2.1.2 MCS-51单片机的内部组成及信号引脚

2.1.3 存储器结构

2.1.4 80C51单片机的特殊功能寄存器

2.2 并行输入/输出口结构

2.2.1 P0口

2.2.2 P1口

2.2.3 P2口

2.2.4 P3口

2.2.5 并行接口的负载能力

2.3 时钟及复位电路

2.3.1 时钟电路及时序

2.3.2 单片机的复位电路

2.4 MCS-51单片机的最小系统

2.4.1 单片机最小应用系统举例

2.4.2 最小应用系统设计

习题2

第3章 MCS-51指令系统

3.1 指令系统概述

3.1.1 机器指令编码格式

3.1.2 符号指令格式

3.1.3 符号指令格式及注释中的常用符号

3.2 寻址方式

3.2.1 寄存器寻址

3.2.2 直接寻址

3.2.3 寄存器间接寻址

3.2.4 立即寻址

3.2.5 变址寻址

3.2.6 相对寻址

3.2.7 位寻址

3.3 数据传送类指令

3.3.1 一般传送类指令

3.3.2 特殊传送类指令

3.4 算术运算类指令

3.4.1 加法

3.4.2 减法

3.4.3 乘法

3.4.4 除法

3.5 逻辑运算与循环类指令

3.5.1 逻辑与

3.5.2 逻辑或

3.5.3 逻辑异或

3.5.4 累加器清和取反

3.5.5 累加器循环移位

3.6 控制转移类指令

3.6.1 无条件转移

3.6.2 条件转移

3.6.3 调用与返回

3.6.4 空操作

3.7 位操作类指令

3.7.1 位传送

3.7.2 位状态设置

3.7.3 位逻辑运算

3.7.4 位判跳（条件转移）

习题3

第4章 汇编程序设计

第5章 MCS-51中断系统及定时/计数器

第6章 MCS-51单片机的串口通信

第7章 单片机接口及控制技术

第8章 MCS-51单片机应用系统的高计

第9章 MCS-51单片机的C51程序设计

附录1 MCS-51指令表

附录2 ASCII表

参考文献

书摘插图

第2章 MCS-5 1单片机的体系结构

Intel公司推出的MCS．51单片机有其特殊的管理方式，它有典型的结构、完善的总线、特殊功能寄存器，它还有位操作系统和面向控制的指令系统，这些都为单片机的开发奠定了良好的基础。

805 1是MCS．51单片机的典型型号。很多单片机生产商以805 1为基核开发出的单片机产品都是80C51系列。本章主要介绍80C51单片机的硬件结构和基本原理。

2．1 MCS-51单片机的基本组成

2．1.180C51单片机的基本结构

1．MCS-51系列

（1）MCS．51是Intel公司生产的一个单片机系列名称。属于这一系列的单片机有多种，例如8051／8751／8031、8052／8752／8032、80C51／87C51／80C31、80C52／87C52／80C32等。

（2）该系列生产工艺有两种：一是HMOS工艺（高密度短沟道MOS工艺）。二是CHMOS工艺（互补金属氧化物的HMOS工艺）。

CHMOS是CMOS和HMOS的结合，既保持了HMOS高速度和高密度的特点，还具有CMOS的低功耗的特点。在产品型号中凡带有字母C的即为CHMOS芯片，CHMOS芯片的电平既与TTL电平兼容，又与CMOS电平兼容。

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