台积电斥资11亿美元 投身32/28纳米相关制程

王朝互联网·作者佚名  2009-08-13
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【搜狐IT消息】8月13日,据台湾媒体报道,台积电董事会日前决议,将大手笔投资11.168亿美元,用来扩充12吋厂中的45/40纳米产能,并建置32/28纳米相关制程产能。

台积电预估今年资本支出将达23亿美元,已是全球半导体厂中资本支出规划第三大的厂商,仅次于英特尔和三星电子,且根据台积电规划,32/28纳米制程将于2010年第一季开始生产。

台积电40纳米制程良率不佳问题已获明显改善,在7月底股东大会中,台积电先进技术事业资深副总经理刘德音就表示,40纳米的良率已提升到60%,约是3个月前的一倍,且良率仍在持续改善中,所以客户的投片也有明显提升,如6月投片量约6000片,但7月已达9000片,第三季投片量将上看3万片。

随着台积电40纳米制程良率渐获改善,绘图芯片双雄英伟达(NVIDIA)及AMD已开始准备新产品上市事宜,AMD支持DirectX11的40纳米RV870,将于9月10日开始举办上市前活动(pre-launch

event);NVIDIA除了已正式推出40纳米G210、GT220芯片外,也暂敲定年底会再推出GT230及新一代支持DirectX11的GT300芯片。

由于45/40纳米效能明显高于65/55纳米,包括巨积(LSI)、阿尔特拉(Altera)、耐特逻辑(NetLogic)、富士通等国际大厂,也将在第三季或第四季大幅拉高委托台积电的代工订单。台积电45/40纳米占营收比重,也可望由第二季的1%至年底急速拉升至接近10%,但因现在产能不足,才会如此大手笔进行投资。

当然随着45/40纳米良率趋于稳定,台积电在32/28纳米的投资上也开始加速。台积电将28纳米制程定位为全世代(full

node)制程,提供高介电层金属闸(HKMG)及氮氧化硅(SiON)材料等两种选择,预计2010年第一季开始生产,大客户如AMD、NVIDIA、高通(Qualcomm)等,已开始与台积电进行合作。

另外,台积电与英特尔合作的Atom核心单芯片,已经开始进入最后量产的准备工作,这将是台积电在32/28纳米世代的另一项重要突破,自然得要更积极扩大产能因应。台积电董事长张忠谋表示,虽然40纳米市场中,台积电要争取中央处理器订单的机会不高,但32/28纳米或22纳米世代,台积电就可争取到CPU代工商机,英特尔的合作案就是很好案例。(芳草地)

 
 
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