LSI告半导体制程专利侵权 ITC初判南科胜诉

王朝互联网·作者佚名  2009-09-29
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【赛迪网讯】9月24日消息,DRAM大厂南科近日表示,LSI及旗下Agere去(2008)年向美国国际贸易委员会(ITC)提起对半导体制造及销售业者,包括南科及其它被告等专利侵权之调查案,该案行政法官作出有利南科等被告的初判决定。

LSI是在去年4月向美国联邦地方法院提出侵权告诉,控告南科、联电、力晶、茂德、世界先进和尔必达(Elpida)等18家芯片制造商,侵害芯片制造技术专利。

LSI在该案中请求ITC核发禁制令,但行政法官判决LSI有关半导体制程之美国专利号码5227335之专利为无效专利。预计ITC全委员会将在2010年1月21日做出终判决定。南科确信,ITC全委员会届时也会作出对南科有利的判决。

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