【赛迪网讯】9月24日消息，三星半导体社长权五铉宣布，已开始正式量产512Mb相位变化随机存取内存芯片(PRAM,phasechangerandomaccessmemory)。权五铉表示，三星为全球第一家将PRAM推向市场的公司，PRAM兼具高效能及低耗电特色，目前已与客户合作，未来可望逐步取代NORFlash。
据国外媒体报道，三星指出，高密度及高效能是智能手机最主要的技术要求，但这两种特性都会使耗电量大幅增加，而PRAM大幅简化了数据存取的逻辑，对DRAM的支持仰赖程度较低，因此其用电效率极高。在使用PRAM的情况下，手机电池的使用时间将可延长20%以上。
三星表示，这种512MbPRAM能在80毫秒内消除64KW(千字单位)，速度比NOR闪存要快上10倍；而在大小为500万字节(MB)的数据段落中，PRAM消除及重写数据的速度，也要比NOR闪存快上7倍。
三星这项第一款PRAM产品是运用60奈米级技术生产，而这也正是目前用以生产NOR闪存的技术。至于未来的新世代PRAM，则将采用更先进的技术节点制造，以加速产品的商业化应用。
(责编：mut)