【赛迪网讯】1月11日消息，台积电与高通(Qualcomm)宣布正密切合作，将无线通讯产品由45奈米制程直接推进至28奈米制程，以更具成本效益，将更多功能整合在更小芯片上，加速无线通讯产品在新市场的扩展。高通预计第一批产品将在2010年中投产。
据台湾媒体报道，台积电指出，28奈米制程密度可较前一代制程高出1倍，让执行移动运算的半导体组件，能在更低耗电下，提供更多功能。高通与台积电目前在28奈米世代的合作，包括高介电层/金属闸(high-k metal gate, HKMG)的高效能制程技术，以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗电高速制程技术。
高通包括Snapdragon芯片组平台在内的下世代系统单芯片解决方案，小尺寸与低功耗是重要特色。高通与台积电过去在65奈米与45奈米制程技术就已密切合作，现在更进一步延伸至低耗电、低漏电的28奈米世代进行量产。高通预计于2010年中投产首批28奈米产品。
高通并指出，其整合无晶圆厂制造模式(Integrated Fabless Manufacturing；IFM)成功的关键，就是与策略性技术及集成电路制造伙伴密切合作，不但展现极高的效率，也加速整个产业的技术发展。
(责编：mt)
【赛迪网讯】1月11日消息，台积电与高通(Qualcomm)宣布正密切合作，将无线通讯产品由45奈米制程直接推进至28奈米制程，以更具成本效益，将更多功能整合在更小芯片上，加速无线通讯产品在新市场的扩展。高通预计第一批产品将在2010年中投产。
据台湾媒体报道，台积电指出，28奈米制程密度可较前一代制程高出1倍，让执行移动运算的半导体组件，能在更低耗电下，提供更多功能。高通与台积电目前在28奈米世代的合作，包括高介电层/金属闸(high-k metal gate, HKMG)的高效能制程技术，以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗电高速制程技术。
高通包括Snapdragon芯片组平台在内的下世代系统单芯片解决方案，小尺寸与低功耗是重要特色。高通与台积电过去在65奈米与45奈米制程技术就已密切合作，现在更进一步延伸至低耗电、低漏电的28奈米世代进行量产。高通预计于2010年中投产首批28奈米产品。
高通并指出，其整合无晶圆厂制造模式(Integrated Fabless Manufacturing；IFM)成功的关键，就是与策略性技术及集成电路制造伙伴密切合作，不但展现极高的效率，也加速整个产业的技术发展。
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【赛迪网讯】1月11日消息，台积电与高通(Qualcomm)宣布正密切合作，将无线通讯产品由45奈米制程直接推进至28奈米制程，以更具成本效益，将更多功能整合在更小芯片上，加速无线通讯产品在新市场的扩展。高通预计第一批产品将在2010年中投产。
据台湾媒体报道，台积电指出，28奈米制程密度可较前一代制程高出1倍，让执行移动运算的半导体组件，能在更低耗电下，提供更多功能。高通与台积电目前在28奈米世代的合作，包括高介电层/金属闸(high-k metal gate, HKMG)的高效能制程技术，以及具备氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)的低耗电高速制程技术。
高通包括Snapdragon芯片组平台在内的下世代系统单芯片解决方案，小尺寸与低功耗是重要特色。高通与台积电过去在65奈米与45奈米制程技术就已密切合作，现在更进一步延伸至低耗电、低漏电的28奈米世代进行量产。高通预计于2010年中投产首批28奈米产品。
高通并指出，其整合无晶圆厂制造模式(Integrated Fabless Manufacturing；IFM)成功的关键，就是与策略性技术及集成电路制造伙伴密切合作，不但展现极高的效率，也加速整个产业的技术发展。
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