韩国三星电子1日说，该公司已成功研制出世界上首个30纳米DRAM内存芯片，容量为2兆，并计划今年下半年批量生产。
三星电子当天发表声明说，今年第一季度，第三代内存芯片（DDR3）将成为市场主流，而三星电子利用30纳米工艺将可以生产目前最先进的低耗电量第三代内存芯片，从而使公司在内存市场上保持最具竞争力的地位。
三星电子说，这一新产品的生产率比40纳米DRAM内存芯片提高了60％，耗电量仅相当于50纳米级和40纳米级技术的70％和85％。
三星电子表示，从40纳米级到30纳米级技术，三星电子只用了1年时间就研制成功，比从50纳米级到40纳米级所用28个月的时间大大缩短。
(责任编辑：GH)