【搜狐IT消息】3月12日消息，在2010年2月的半导体相关国际会议“ISSCC 2010”上，美国IBM发布了嵌入8个内核、混载DRAM、浮点运算性能高达200GFLOPS的服务器用微处理器“Power7”，吸引了与会者的目光。该产品采用45nm工艺技术制造，最大工作频率为4.14GHz。技术在线就该处理器中采用的新技术、以及相对于竞争对手处理器的优势等，采访了负责Power7开发的IBM高级工程师兼处理器开发负责人Ron Kalla。以下是采访全文：
——与65nm工艺的“Power6”相比，Power7在哪些方面有所提高？
与Power6相比，Power7将内核数提高到了4倍，将单位内核可执行的线程数提高到了2倍。此外，还导入了使半数内核休眠、增加可平均分配给剩余内核缓存容量的“Turbo Core Mode”功能等。不仅提高了性能，还采用了许多低耗电技术。如果只从性能上看，Power6并不比Power7逊色，但称不上是低耗电处理器。而Power7则将单位耗电量的性能提高到了Power6的4倍。
——将此前外接的L3缓存作为混载DRAM集成到了Power7中，这一点成了人们关心的话题。
采用混载DRAM方式的L3缓存，堪称是我们在Power7上实现的最大技术革新。我们在大约10年前就开始致力于处理器的DRAM混载，此次终于得以实现。花了10年才实现，可见技术难度之高。与采用混载SRAM构成L3缓存相比，混载DRAM可将存储单元面积减小到1/3，将待机时耗电量降低到1/5。与外接L3缓存时相比，延迟时间（Latency）可缩短到1/6。
——与英特尔的处理器相比也不逊色吗？
不比英特尔的芯片逊色。特别是在处理器内核性能与内存存取速度的均衡、以及运行过程中内存的平均带宽方面，还超过了包括英特尔在内的其他竞争对手。即便仅从芯片面积这一点来看也具有优势，如：通过采用混载DRAM，使得L3缓存的内存集成密度高于英特尔相同工艺技术的处理器。
——继Power7之后的“Power8”将会是拥有何种性能的芯片？另外，贵公司何时采用英特尔已投产的32nm工艺制造处理器？
Power8还处于探讨芯片设计概念的阶段，性能指标还不能公开。不过，混载DRAM等优秀技术我们希望继续沿用。关于投产日期，可以参考以往（每隔3年投放一种新架构的）的周期。虽然32nm工艺的投产日期也不能公布，但我可以回答的是，投产已经纳入了视野。
——随着节能化成为全球的潮流，服务器用处理器的竞争条件出现了什么变化？
低耗电技术已成为重要的差异化因素。在IBM于2001年投产180nm工艺的“Power4”时，就连负责开发电源管理技术专业团队都不存在。而目前，在芯片以及系统等多个层面都开始采用低耗电技术。今后，导入类似电源门控（Power Gating）那样的低耗电技术必不可少。
——IBM一条龙式地从事从半导体工艺直到服务器的开发。从负责处理器开发的技术人员角度来看，这是不是实现与竞争对手的差异化的关键因素？
我非常认同这种看法。可改善处理器性能的“魔法般方法”根本不存在。从半导体工艺直到芯片设计、固件、OS、服务器，所有层面的责任人都必须在各自的岗位上将工作做到最好。IBM公司具有这样的环境。例如，公司内有高级工程师（技术理事）参加的会议。可通过这种方式与半导体工艺专家等进行探讨，这即便对负责设计的我本人来说也是极其有益的。
