新内存：
内存模块
模块名称 Kingston K
序列号 7318F493h (***********)
制造日期 1 周 / 2007
模块容量 512 MB (1 rank, 4 banks)
模块类型 无缓冲
存储方式 DDR SDRAM
存储速度 PC3200 (200 MHz)
模块位宽 64 bit
模块电压 SSTL 2.5
错误检测方式 无
刷新周期 简化 (7.8 us), Self-Refresh
内存计时
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS)
内存模块特征
Early RAS# Precharge 不支持
Auto-Precharge 不支持
Precharge All 不支持
Write1/Read Burst 不支持
Buffered Address/Control Inputs 不支持
Registered Address/Control Inputs 不支持
On-Card PLL (Clock) 不支持
Buffered DQMB Inputs 不支持
Registered DQMB Inputs 不支持
Differential Clock Input 已支持
Redundant Row Address 不支持
内存模块制造商
公司名称 Kingston Technology Company, Inc.
产品信息http://www.kingston.com/products/default.asp旧内存：
字段 值
内存模块
模块名称 Ramaxel's Making
序列号 无
模块容量 256 MB (1 rank, 4 banks)
模块类型 无缓冲
存储方式 DDR SDRAM
存储速度 PC2700 (166 MHz)
模块位宽 64 bit
模块电压 SSTL 2.5
错误检测方式 无
刷新周期 简化 (7.8 us), Self-Refresh
内存计时
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
内存模块特征
Early RAS# Precharge 不支持
Auto-Precharge 不支持
Precharge All 不支持
Write1/Read Burst 不支持
Buffered Address/Control Inputs 不支持
Registered Address/Control Inputs 不支持
On-Card PLL (Clock) 不支持
Buffered DQMB Inputs 不支持
Registered DQMB Inputs 不支持
Differential Clock Input 已支持
Redundant Row Address 不支持
完了350，刚加的，现在看没什么问题，不知道会不会长久
參考答案:差不多的频率，使用上如果没问题应该就没问题了。
