热扩散（Thermal Diffusion）技术：
热扩散技术又称为高温扩散技术，是微电子工艺中的一种重要掺杂技术。
杂质原子热扩散的机理：主要有替位式扩散和间隙式扩散两种。杂质通过替位式扩散的扩散速度慢、需要的扩散温度高（800oC~1200oC），但是可精确控制p-n结的深度和掺杂浓度（需要控制温度精确至±1oC）；Si中硼、磷等杂质的扩散就属于替位式扩散。杂质的间隙式扩散（如金在Si中的扩散）的扩散速度很快（在1000oC下10分钟就可扩散200~300μm的深度），扩散温度较低一些（800oC~1050oC）。
热扩散的杂质原子的浓度分布一般是erfc分布（预淀积扩散）或高斯分布（推进扩散或主扩散），表面处的浓度高、体内的浓度低；但金等间隙式扩散的杂质，因扩散速度快，可认为扩散以后的浓度分布是均匀的（其浓度大小由该温度下的固溶度来决定）。[1]
