姓名: 殷景志
性别: 女
职称: 教 授
个人经历:
1982年吉林大学半导体系获本科学位，1982-1984年在电子工业部第四十九所从事半导体压力传感器的研究，1987年吉林大学电子科学系获硕士学位，1987年在哈尔滨工业大学物理系从事教学工作，1988年吉林工业大学物理系教师，2002年吉林大学电子科学与工程学院获博士学位，2003-2005年在中国科学院长春光学精密机械与物理所做博士后。
主要工作:
自1984年做研究生以来一直从事III-V材料和器件的研究工作，先后参加完成了863项目—应用于光电探测技术的中红外二极管和激光二极管、国家自然科学基金重大项目“半导体光子集成基础研究”的子课题—InP基应变补偿能带工程及其光子开关器件应用研究、国家自然科学基金重点项目—非致冷红外焦平面列阵关键材料的研究、国家自然科学基金项目—应变层量子阱结构稳定性研究、1.5µm室温连续InAs/InP自组装量子点激光器、3.3µm激光二极管和发光二极管的研究、中国博士后科学基金资助项目——InGaAs非致冷红外焦平面阵列的研究。已在国内外刊物上发表论文五十余篇，译书一部《先进半导体材料性能与数据手册》。目前主要从事InGaAs探测器和InAs/GaSb II型超晶格探测器的研究，包括器件材料参数的计算机模拟和器件的研制。
