三星（SAMSUNG）
在一年多以前，本站推出了DDR主流内存芯片的编号识别文章，受到广大读者的欢迎。时隔一年之后，DDR2已经渐成主流，虽然在很多人的眼中，DDR2仍然有着这样或那样的不足，但在业界主力厂商的大力推广下，在CPU平台不断向更高频率冲刺的时候，DDR2代替原有的DDR已经不可避免。因此，我们推出这篇导购文章，希望能给大家在选购DDR2内存模组时提供帮助。本文的编号资料截止至2005年6月。
本文的结构仍然与去年的相同，至于了解内存芯片编号的意义，以及内存相关参数的解释，在这篇文章中将不再涉及，有爱好的读者，请参见下列文章：
主流DDR内存芯片与编号识别
高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版
速度与优化并进 DDR之巅峰对决(上)——如何有效的优化内存性能
三星电子DDR2内存芯片外观
三星电子有关DDR2内存芯片的编号规则如下：
三星的编号还第16、17、18三位，我们没在此说明。因此，这三位编号并不常见，一般用于OEM与非凡的领域，因而在此就不介绍了。
以前面的芯片照片为例，可以看出这是一枚容量为512Mbits、位宽为8bit、4个逻辑Bank、SSTL/1.8V接口、采用FBGA封装的DDR2-400芯片，并且是第三代产品。
海力士（Hynix）
海力士DDR2内存芯片外观
海力士的DDR2内存芯片的编号规则如下：
这里需要指出的是，欧盟将从2006年7月1月起实施“有害物质限制(RoHS，Restriction Of Hazardous Substances)”法，所以目前几乎所有的电子设备生产厂商都努力生产出符合这一要求的产品。因此，在海力士的封装材料中也非凡注明了这一点。
根据编号规则，我们可以看出上面那枚芯片的规格是512Mbits容量、8bit位宽、4个逻辑Bank、SSTL_18接口（1.8V）、FBGA封装、普通封装材料、速度为DDR2-533（4-4-4），该产品内核版本为第一代。
尔必达（ELPIDA）
尔必达DDR2内存芯片外观
尔必达DDR2内存芯片的编号规则如下：
与Hynix一样，尔必达也有环保方面的标注，不过在无铅应用方面，尔必达似乎走得更快。以上面的芯片为例，可以看出它是一枚512Mbits/4个逻辑Bank、8bit位宽、速度为DDR2-533（4-4-4）并采用无铅封装的芯片，内核版本为第二代。
美光（Micron）
美光DDR2内存芯片外观
美光的DDR2内存芯片编号比较非凡，封装上的编号并不是正规的编号，但是在芯片上也找不到美光所公布的正规编号，即使在美光的网站上也查不到。笔者对此也深感迷惑，虽然有些第三方厂商的PDF中有一些相关的资料，但美光芯片上的编号有很多，并不能一一进行解释。在此，笔者仍然提供美光官方的编号规则，不过在现实中，具体的芯片规格就要读者结合模组的参数进行反推了（真不知美光是怎么想的）。
以下是笔者所整理的部分美光芯片封装编号的对应信息，谨供参考。
英飞凌（Infineon）
英飞凌DDR2内存芯片外观
英飞凌DDR2内存芯片的编号规则与去年我们文章中所介绍的仍然是一样的，但在封装环保方面做出了出RoHS相关的标注。
但在这里要强调的是，在速度标准中，英飞凌的芯片还有一种3S的参数，此时代表DDR2-667（5-5-5），不过在英飞凌的编号规则中并没有出现。
以上面的芯片为例，可以看出这是一枚容量256Mbits、8bit位宽、FBGA封装、速度为DDR2-667（4-4-4）的内存芯片，产品版本为第一代。
易胜（Elixir）
易胜DDR2内存芯片外观
易胜内存是由中国台湾南亚科技（Nanya）的下属品牌，南亚成立易胜的目的是针对一般消费性市场，即我们常说的DIY领域，而在OEM领域仍然以南亚的品牌为主。易胜于2001年成立，目前在中国大陆已经拥有较高的知名度，有些人甚至直接称呼它为“南亚内存”。
易胜的芯片虽然产自南亚，但在编号上与南亚各不相同。
以上面的芯片为例，可以看出它是一枚容量为512Mbits、16bit位宽、FBGA封装、速度为DDR2-533（4-4-4）的内存芯片，产品版本为第一代。
南亚（Nanya）
南亚的芯片目前在渠道市场上还是比较少见的。不过，在DDR2芯片的封装编号型式上与DDR芯片类似。
南亚DDR2内存芯片的编号规则如下：
在最重要的速度编号方面，南亚与易胜的规则一样，而在容量方面的编号则与美光类似。
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茂矽（MOSEL VITELIC）/PRoMOS（茂德）
茂矽（MOSEL VITELIC）/ProMOS（茂德）的DDR2芯片编号规则如下：
