超低电压Core i系列详细规格（点击查看大图，图片来自互联网）
此外，现有酷睿i5、i7处理器将会被沿用至明年3月，四月份新i7四核率先发布，五月份我们将迎来i5处理器。
标准电压处理器时间规划（图片来自互联网）
低电压/超低电压处理器时间规划（图片来自互联网）
上图表明，当前SNB版本酷睿i7是存在低电压版本的，25W功耗，但实际市场上我们并没有看见其踪影。当然，明年也不会看到新平台IVB的低电压版本。而超低电压的酷睿i7以及i5在5月份发布。
最后提一句，面向消费级的IVB处理器对应HM75、HM76、HM77芯片组以及超低电压平台所使用的UM77芯片组都是在四月份同时推出，而商用领域的QM77、QS77芯片组要等到五月份。至于入门级别，恐怕还要靠当前i3、奔腾以及赛扬支撑一段时日。
本章小结：通过25W低功耗版本处理器的缺失，我们不难得出这样的结论，2012年开始笔记本市场将逐渐划分成以超低电压处理器为首的超极本以及标压的主流高性能机型。掐指算算，四月份距离现在也就三个多月的时间，想要购买最新平台机型的朋友们真的可以开始攒钱了。
从曝光的参数上看，移动版的IVB处理器极有可能使用了和当前SNB一样的封装方式，插座相同（桌面版已经确定是相同的，均为LGA1155），也就是说已经购买SNB平台笔记本的朋友极可能顺利将笔记本升级至最新平台，虽然会导致部分功能受到老芯片组约束无法使用，但总体性能定然可以提升不少，动手能力强的朋友必须期待！
制造工艺方面，Ivy Bridge平台使用了最先进的22nm制程以及Tri-Gate 3D晶体管技术，这也是自硅晶体管问世50多年来，3D结构晶体管史无前例的被投入批量生产。
2D晶体管（左）与3D晶体管（右）实物对比（图片来自互联网）
3D Tri-Gate使用一个薄得不可思议的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，形象地说就是从硅基底上站了起来。硅鳍片的三个面都安排了一个栅极，其中两侧各一个、顶面一个，用于辅助电流控制，而2D二维晶体管只在顶部有一个。由于这些硅鳍片都是垂直的，晶体管可以更加紧密地靠在一起，从而大大提高晶体管密度。
3D晶体管带来的益处
这种设计带来的直接好处就是IVB在相同低电压下可获得37%的性能增益，或者相同性能下让功耗减少50%以上，并有助于增加处理器晶体管数量，容纳更为强大的核芯显卡。这对于降低笔记本发热，延长续航时间，尤其对于超极本来说无疑有着重大意义。
核芯显卡方面，新的Intel HD Graphics 4000同样为22纳米制程，加入蓝光2.0解码技术，支持最多3屏输出，并引入DX11、OpenCL 1.1规范支持，也就是说，全新核芯显卡在游戏支持上更为全面，并将支持异构计算技术，可对处理器进行加速！
图片来自互联网
此外，IVB处理器内整合的核芯显卡还将EU单元提升至16个，增加了1/3，这也可以让图形性能获得大幅提升，加之22纳米制程带来的更高睿频能力，预计可完全与中低端独显抗衡。