此外，台积电还计划在2010年第一季度末开始28纳米LP低功耗工艺的风险性试产。不过，据蒋尚义透露，台积电的28纳米LP低功耗工艺仍将采用传统的 “氮氧化硅绝缘层+多晶硅栅”技术。预计其在今年下半年推出的28纳米HP和28纳米HPL工艺才会采用更先进的高介电金属栅(HKMG)技术。
“集成电路工艺从0.18微米发展到现在32/28纳米的过程中先后遇到了两大困难。”莫大康在接受《中国电子报》记者采访时表示，“一个是在0.13微米节点时引入的铜互连工艺，另一个就是HKMG工艺。”2007年，英特尔公司就率先在45纳米节点引入了HKMG工艺，这就为该公司在进入更高世代工艺的过程中减少了很多障碍。
在晶圆代工业内，高端工艺的争夺战同样也已经打响。今年2月，GLOBALFOUNDRIES和英国ARM公司宣布共同开发了移动设备用28nmSoC技术。该技术基于ARM的Cortex-A9处理器和物理层IP内核，并采用了GLOBALFOUNDRIES的 28纳米工艺。据称，这一工艺采用了HKMG技术，将在今年下半年开始使用。此外，晶圆代工业界的另一个挑战者三星也将在今年推出HKMG技术，用于支持 32纳米和28纳米工艺。
中国大陆的芯片制造企业也没有放慢追赶的步伐。中芯国际资深研发副总裁季明华博士在接受记者采访时表示，2010年，中芯国际将力争实现45纳米和40纳米技术的小批量试产。如果这一目标成为现实，西方国家在微电子领域领先中国两个世代的思维定式就将不复存在。
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