非挥发性记忆体非挥发性记忆体当电流关掉后，储存在记忆体里面的资料不会消失者，这类型的记忆体称为非挥发性记忆体。当电流关掉后，储存在记忆体里面的资料不会消失者，这类型的记忆体称为非挥发性记忆体。非挥发性记忆体中，依记忆体内的资料是否能在使用电脑时随时改写为标准，又可分为二大类产品，即ROM（Read Only Memory）和Flash（快闪记忆体）。
非挥发性记忆体的发展与需求由于应用需求的推动，非挥发性记忆体技术发展非常迅速。由于应用需求的推动，非挥发性记忆体技术发展非常迅速。过去，许多应用只需储存少量启动程式码即可，而现在的应用却需要储存数GB的音乐和视讯数据，也因此为非挥发性记忆体的发展带来革命性的变化。非挥发性记忆体起源于简单的光罩唯读记忆体( ROM )，随后演变成PROM，再后来成为EPROM。而1988年英特尔公布了快速随机存取的NOR快闪记忆体。而1988年英特尔公布了快速随机存取的NOR快闪记忆体。尽管EPROM技术已经有了10多年的历史，成熟度也大为完善，NOR快闪记忆体还是迅速占领了EPROM的记忆体介上市场。而NAND快闪记忆体比NOR技术更早，已经有20多年历史了。最初，NAND快闪记忆体的年度发货量增幅缓慢，后期则成为市场上炙手可热的产品，其在市场上取得的成功主要归功于它独特的特点。
从读取和写入的角度来看，挥发性记忆体通常都是非常快速的，而非挥发性性记忆体的写入一般较为缓慢；非挥发性记忆体还在写入上存在着固有的局限性，在一定次数的写入作业后，记忆体会达到自己的承受极限而出现故障。而理想的记忆体应当具备非挥发性以及与SRAM类似的存取速度，同时没有读取/写入限制，以及只消耗非常少的功率，这正是推动最新一代非挥发性记忆体快速发展的因素。
没有任何一款新记忆体能够在所有领域都取得优势，但这些记忆体均在记忆体特性的某些重要方面取得了关键性的进步。 nvSRAM 、 FRAM等产品正朝此方向努力。
