高纯三甲基镓;high-purity trimethylgallium
分子式:(CH3)3Ga
性质:熔点-15.8℃。沸点55.7℃。密度1.10g/cm3。纯度≥99.999%。自燃性液体,对空气和水十分敏感。采用精密精馏法及加合物法提纯制备。是应用制备含镓化合物和合金最广泛的镓源。主要应用于制备高电子迁移率的高纯GaAs薄膜、高效GaAs太阳能电池、高激光功率输出的二极管等器件。
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分子式:(CH3)3Ga
性质:熔点-15.8℃。沸点55.7℃。密度1.10g/cm3。纯度≥99.999%。自燃性液体,对空气和水十分敏感。采用精密精馏法及加合物法提纯制备。是应用制备含镓化合物和合金最广泛的镓源。主要应用于制备高电子迁移率的高纯GaAs薄膜、高效GaAs太阳能电池、高激光功率输出的二极管等器件。