袁建中，1962年出生于江西，本科毕业于中国科技大学物理系，研究生时在北大师从名师，后留学美国并获固体物理博士学位，现任通用硅晶体材料有限公司总裁、ＳＵＭＣＯ公司正式顾问。在美留学期间，进行硅缺陷研究，大直径晶体生长的热场研究开发等，取得重要成果。1986年，李政道奖学金在全国高校物理系范围内招考70到100名留美学生，袁建中脱颖而出，以优异的成绩获得奖学金。毕业论文以硅材料为论题。1991年任职世界最大的硅片公司——ＭＥＭＣ公司。1997年，袁博士在英特尔公司担任300毫米硅片项目经理，负责设定全世界各地硅片厂的审核条件，审核他们的技术和成本。
当时，国内集成电路和太阳能电池都需要大量的硅片，而中国的硅片性能和产量都不过关，80—90％的集成电路都依靠进口，令很多有识之士忧心忡忡。
得知国内硅产品的状况，袁建中非常想为国家出一份力，缓解硅片紧缺的压力，在美国学习生活了15年之后，2000年，他毅然回国，把全部的精力和有限的资金都投入到了硅晶片的生产和研发中。
今天，在太阳能产业突飞猛进的大潮中，袁博士知道最难的途径还是寻求技术上的改进和突破，即如何通过较少的原料生产出高性能的太阳能电池。
在太阳能产业链中不同技术环节间的衔接，其中有很多创新发展的机会在其中。经过袁博士和公司里的科研人员多年的研发，从最初掌握多晶硅生产核心技术并拥有沙浆回收技术，到单晶炉、单晶生长、切片、耗材回收、电池片、印刷，各个环节都有了自己的技术力量，目前，公司的科研人员已经研发切割出70微米的硅片，接下来的课题是如何在生产过程中进行不容易破损的试验和技术研究，虽然70微米的硅片还不能大量投入生产，但这成为国内硅切割技术自主开发生产的一个成功范例。
上海通用硅晶体材料有限公司成立以来，十分注意学习国内外先进的管理经验。如英特尔公司虽在全球都有工厂，但不会有人质疑英特尔的产品质量，这其中有一个简单的哲学——“准确复制”：世界各地的工厂都是同样的厂房、设备、技术，哪怕是一张普通的工序图，都会贴在同一个位置。只有在每一个工厂贯穿“准确复制”的理念，在一个新产品研发问世时，才能迅速地量产，并供应到全球。
袁建中把准确复制和生产过程进行“傻瓜化”结合，要求员工确保产品的质量和性能的稳定。昆山基地的项目在管理上也相当明确：一流人才，一流设备，一流技术，一流事业，一流的工作作风，一流的决策体系。公司力求让昆山项目成为人才孕育和成长的摇篮，使昆山基地向集约型、标准化、系统化生产迈进，从而满足国内太阳能生产的需求，并为可持续发展打下扎实基础。
