超自对准工艺的主要工序是用通常方法完成基区掺杂后,在硅片上淀积一层未掺杂多晶硅,氧化掉不必要的部分。在整个芯片上淀积氮化硅膜层和二氧化硅膜层。除发射区和集电极接触孔外,其他部位的二氧化硅膜全腐蚀掉。以二氧化硅膜作掩模,把硼注入到未掺杂多晶硅内,然后腐蚀掉氮化硅(稍微过腐蚀一点)。再采用选择腐蚀法把未掺杂多晶硅腐蚀去,暴露的基区宽度小于1微米。采用热氧化,同时形成P□区。去掉氮化硅,不用掩模进行硼注入,自对准形成P□基区。再在多晶硅发射极中掺入砷,扩散形成发射区。
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超自对准工艺的主要工序是用通常方法完成基区掺杂后,在硅片上淀积一层未掺杂多晶硅,氧化掉不必要的部分。在整个芯片上淀积氮化硅膜层和二氧化硅膜层。除发射区和集电极接触孔外,其他部位的二氧化硅膜全腐蚀掉。以二氧化硅膜作掩模,把硼注入到未掺杂多晶硅内,然后腐蚀掉氮化硅(稍微过腐蚀一点)。再采用选择腐蚀法把未掺杂多晶硅腐蚀去,暴露的基区宽度小于1微米。采用热氧化,同时形成P□区。去掉氮化硅,不用掩模进行硼注入,自对准形成P□基区。再在多晶硅发射极中掺入砷,扩散形成发射区。