理学学士（四川大学）
哲学硕士（香港大学）
哲学博士（香港大学）
现任四川大学物理学院应用物理系教授
长期从事化合物半导体材料的研究，并已经在 Physical Review B, Journal of Applied Physics, Nuclear Instrument and Methods in Physics Research B 等国际著名学术刊物上发表论文 10 多篇。
培养毕业研究生 1 名，现已招收研究生 6 名。在凝聚态物理专业（半导体材料方向）招收硕士研究生。
近年来的主要研究方向是：
1 、用正电子湮没方法研究化合物半导体的缺陷特征以及它们的辐照效应；
2 、与中科院半导体所合作研究高温退火形成非掺杂半绝缘磷化铟的机制；
3 、关于正电子湮没寿命谱解谱方法的研究。
学历和研究工作简历：
1982.09--1986.07 四川大学应用物理系读本科
1986.07--1994.12 四川大学应用物理系教师
1994.12--1997.01 香港大学物理系攻读硕士学位
1997.01--2000.02 香港大学物理系攻读博士学位
2000.02--2002.02 四川大学应用物理系教授
2002.02--2002.09 加拿大 McMaster 大学作访问研究
2002.09--至今 四川大学应用物理系教授
近期发表的主要学术论文：
[1] A.H. Deng, P. Mascher, Y. W. Zhao, L. Y. Yin, “Effects of annealing ambience on the formation of compensation defects in InP”, Journal of Applied Physics, 93, 2, 930 (2003).
[2] A. H. Deng, Y. Y. Shan, C. D. Beling, S. Fung, “Application of positron annihilation lifetime technique to the study of deep level transients in semiconductors”, Journal of Applied Physics, 91, 6, 3931 (2002).
[3] Y. Y. Shan, A. H. Deng, C. C. Ling, S. Fung, C. D. Beling,Y. W. Zhao, T. N. Sun, N. F. Sun, “Positron annihilation study of compensation defects responsible for conduction-type conversions in LEC-grown InP”, Journal of Applied Physics, 91, 4, 1998 (2002).
[4] C. C. ling, A. H. Deng, C. D. beling, S. Fung, “Positron lifetime spectroscopic studies of as grown 6H-silicon carbide”, Applied Physics A, 70, 33 (2000).
[5] A. H. Deng, B. K. Panda, S. Fung , C. D. Beling, “Positron lifetime analysis using the matrix inverse Laplace transformation method”, Nuclear instruments and methods in Physics Research”, B, 140, 3-4, 439 (1998).
[6] C. D. Beling, A. H. Deng, Y. Y. Shan, Y.W. Zhao, S. Fung, N. F. Sun, T. N. Sun, X. D. Chen, “Postron lifetime study of compensation defects in undoped semi-insulating InP”, Physical Review B, 58, 20, 13648 (1998).
