一、四川大学微电子学与固体电子学教授龚敏
理学学士、理学硕士（四川大学）、哲学博士（香港大学）
现任四川大学微电子学与固体电子学教授；
物理科学与技术学院院长；
中国物理学会理事；
四川省物理学会副理事长；
《光散射学报》副主编；
四川省电子学会，集成电路专委会副主任；
四川省汽车学会，电子电器专委会副主任；
《半导体光电》客座编委；
《Semiconductor Photonics and Technology》Guest Members；
微电子技术四川省重点实验室常务副主任
四川省学术与技术带头人后备人选。
长期从事半导体材料与器件工艺研究，近年来主要科研兴趣是宽禁带半导体 SiC 和 GaN 的器件物理和工艺研究；集成电路设计中的相关问题研究； 物理学史和物理学教学研究 。
承担国家自然科学基金和国防重点实验室基金项目，并已经在 Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, Physical Review Letters 等国际著名学术刊物发表论文 30 余篇。
培养毕业研究生 13 名，现指导在读研究生 20 余名，博士生 1 名。 在凝聚态物理专业（半导体材料与器件物理方向）招收博士生，在微电子学与固体电子学专业和高等教育学专业招收硕士生。
近 3 年来的主要学术论文：
• Low energy electron irradiation induced deep level defects in 6H-SiC ， Physical Review Letters, 92, 125504(2004).
• Positron-electron autocorrelation function study of E-center in silicon ， Journal of Applied Physics, 94, 5549(2003).
• Deep level transient spectroscopic study of neutron-irradiated n-type 6H-SiC ， Journal of Applied Physics, 94, 3004(2003).
• Beryllium implantation induced deep level defects in p-type 6h-silicon carbide ， Journal of Applied Physics, 93, (3117)2003
• Electron paramagnetic resonance parameters for various V+3 centers in 4H-and 6H-SiC crystals, Physical Review B66, 24520(2002).
• Gallium vacancy and the residual acceptor in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence, Applied Physics Letters, 80, 3934(2002).
• Photoluminescence characterization of beryllium-implanted 6H-silicon carbide, Solid State Communications, 121, 67 ( 2002).
• Beryllium implantation induced deep levels in 6H-silicon carbide, Physica B308-310, 718(2001).
• Photoluminescence study of beryllium implantation induced intrinsic defects in 6H-silicon carbide, Physica B308, 710(2001).
二、四川理工学院教授北京奥运会“火炬手”
龚敏，女，1963年5月出生，四川南充人，中共党员，教授。1984年7月毕业于四川轻化工学院化工系腐蚀与防护专业，1990年10月北京化工大学应用化学
系腐蚀与防护专业硕士研究生毕业。曾任四川轻化工学院科技处副处长、科技处处长、副院长，现任四川理工学院副院长。
龚敏教授，主要从事于金属腐蚀与防护方面的教学和科学研究。发表科研论文30余篇，先后主持、
参与完成了中科院金属腐蚀所国家重点实验室项目，科技部中小型企业技术创新基金项目，四川省科委应用基础研究项目，四川省教育厅重点科研项目等多项课题的研究工作。获国家发明专利1项，获四川省政府优秀教学成果三等奖，自贡市政府科学技术进步二等奖，自贡市"盐都十大杰出青年"。
