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三星研发30纳米级别8GB高密度快闪记忆体_Samsung/三星_资讯

王朝手机·作者佚名  2007-10-29
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三星近日透露了其研制出的第一个64 Gigabit(Gb,千兆位,合8GB)的多级单元( MLC )NAND闪存芯片——其采用目前世界领先的30纳米(nm)级的工艺技术。该闪存芯片可以多个组合并成为一个最大128 Gigabyte(GB,千兆字节)的记忆卡。其空间足以存储80部DVD影片或者32,000首mp3歌曲。

该30纳米级64 Gb NAND快闪芯片的问世标志着记忆体芯片密度较8年前增加了一倍,并打破了2001年100纳米级1 Gb NAND快闪芯片的记录。新的快闪记忆体基于一种名为自对准双图形的技术(SaDPT)研制。三星公司预计在2009年开始生产这种30纳米级别的64 Gb闪存芯片。

 
 
 
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