文章分类: 外围设备
今天传来一个好消息，富士通半导体 Fujitsu Semiconductor 和 SuVolta 联合宣布，已经成功地展示了在 0.425V 超低电压下（只有上一代的一半），SRAM（静态随机存储）模块可以正常运行。具体的细节会在 12 月 5 日美国华盛顿召开的 2011 年国际电子器件会议 International Electron Devices Meeting 上发布，其融合了SuVolta 的 PowerShrink 低功耗 CMOS 与富士通半导体的低功耗工艺技术。具体来讲，就是通过将 CMOS 晶体管临界电压（VT）的波动降低一半，576Kb 的 SRAM 可在 0.4 伏附近正常工作。当然这听起来技术性很高，普通消费者可能无法理解，从另一个角度简单理解，就是可以将电子产品的整体功耗减低（供应电压降低就会带来功耗的下降），增加更多功能。来源有新闻稿可以看，如果你是个技术宅男，可以先去看个新奇吧。
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