Riber和CNRS的综合氮化物开发中心开始运营

法国MBE设备制造商Riber与法国国立研究科学中心（CNRS）组建的以工艺技术中心（PTC）为基础的综合氮化物开发中心开始运营，致力于GaN基化合物半导体材料的新型生长技术和特殊工艺的开发和集成，研发焦点是将所有具有优势的氮化物应用技术集成起来，这些技术包括：与硅兼容的GaN基HEMT和HFET；蓝光LED和激光二极管（LD）。新的联合实验室坐落在尼斯西北10公里处。中心由使用Riber的MBE系统生长GaN的经验丰富的人员组成，进行生长特殊的实验结构研究，以便评估这种能对任何生长结构特性迅速反馈的现代化的特殊设备，中心共安装了21台Riber的GaN MBE系统，其目标瞄准特殊的器件特性以提升和加速扩充工艺知识。此外，正在按客户要求提供训练课程，以满足客户各自的需求。中心强调在设备交付的先进性方面积累经验，最终会为客户节省数月的安装后工艺开发时间。信息来源：中国半导体照明网

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