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　　分類: 图书,外语 ,大学英语 ,大学专业英语教材,

作者： 邱成军主编

出 版 社： 哈尔滨工业大学出版社

出版时间： 2007-8-1字数： 300000版次： 1页数： 329印刷时间： 2007/08/01开本： 32开印次： 1纸张： 胶版纸I S B N ： 9787560322971包装： 平装内容简介

本书较全面、系统地介绍了半导体物理的基本理论、半导体器件原理及MEMS设计的相关知识。主要内容包括：半导体、杂质、能带、晶格等基本概念，二极管的结构、电流－电压特性、开关特性，双极型、MOS晶体管的电流、电压方程、瞬变特性、开关特性、击穿特性及较新的结构设计，同时介绍了MEMS的基本概念、设计方法、应用及未来发展方向。

本书可以作为高等学校微电子、集成电路专业本科生专业英语教材，也可供从事相关领域科研工作的技术人员阅读参考。

目录

1半导体基础

1.1半导体材料

1.2晶体结构

1.3波尔原子模型

1.4固体材料价键模型

1.5固体材料的能带模型

1.6半导体中的自由载流子密度

1.7施主杂质与受主杂质

2载流子的输运与复合

2.1电子与空穴的散射与漂移

2.2漂移电流

2.3载流子扩散

2.4载流子产生与复合过程

3二极管特性

3.1介绍

3.2理想PN结（定性）

3.3理想同质PN结（定量）

3.4PN结小信号阻抗

3.5二极管的开关特性

4双极型晶体管的静态特性

4.1介绍

4.2输出特性

4.3电流增益

4.4理想晶体管模型

4.5缓变基区晶体管

4.6基区宽度调变效应（EARLY效应）

4.7晶体管的电流集边效应与基区电阻

4.8大注入效应

4.9基区扩展效应（KIRK效应）

4.10发射结的复合

4.11击穿电压

4.12直流EBERS-MOLL基本模型

5双极型晶体管的动态特性

5.1交流EBERS-MOLL模型

5.2小信号等效电路

5.3双极型晶体管的储藏电荷电容

5.4晶体管的频率响应

5.5高频晶体管

5.6开关晶体管

6MOSFET晶体管的静态特性

6.1介绍

6.2MOS结构特性

6.3MOSFET晶体管的电流电压方程

6.4横向电场＆L与纵向电场＆L的影响

6.5沟道电荷QCH讨论

6.6MOSFET晶体管的阈电压

7MOSFET晶体管的动态特性

8MEMS工艺微电子机械系统

附录

参考文献

 

 

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